[發(fā)明專利]一種紫外發(fā)光二極管及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811277372.3
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN109449267B
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何苗;叢海云;黃仕華;熊德平
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

1.一種紫外發(fā)光二極管，包括藍(lán)寶石襯底與GaN緩沖層，其特征在于，所述紫外發(fā)光二極管包括GaN納米線層與GaN納米線融合層；

所述GaN納米線層設(shè)置在所述紫外發(fā)光二極管的藍(lán)寶石襯底表面；

所述GaN納米線層包括GaN納米線，所述GaN納米線的兩端分別連接所述GaN納米線融合層和所述藍(lán)寶石襯底，實現(xiàn)所述GaN納米線融合層與所述藍(lán)寶石襯底間的電連接；

所述GaN納米線融合層設(shè)置在所述GaN納米線層與所述紫外發(fā)光二極管的GaN緩沖層之間；

所述GaN納米線層為通入含鎵源氮?dú)狻⒙然瘹錃怏w及氨氣，在所述藍(lán)寶石襯底表面生長出的GaN納米線層；所述GaN納米線層在生長時的環(huán)境溫度范圍為650攝氏度至700攝氏度，包括端點值；

所述GaN納米線融合層為所述GaN納米線橫向生長，生成的GaN納米線融合層；所述GaN納米線融合層在生成時的環(huán)境溫度的范圍為800攝氏度至850攝氏度，包括端點值。

2.如權(quán)利要求1所述的紫外發(fā)光二極管，其特征在于，所述紫外發(fā)光二極管還包括金屬基底層；

所述金屬基底設(shè)置在所述紫外發(fā)光二極管的藍(lán)寶石襯底與所述GaN納米線層之間。

3.如權(quán)利要求2所述的紫外發(fā)光二極管，其特征在于，所述金屬基底層為鎳層。

4.如權(quán)利要求3所述的紫外發(fā)光二極管，其特征在于，所述鎳層的厚度范圍為5納米至10納米，包括端點值。

5.如權(quán)利要求1至4任一項所述的紫外發(fā)光二極管，其特征在于，所述GaN納米線層的厚度范圍為100納米至150納米，包括端點值。

6.一種紫外發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，包括：

提供藍(lán)寶石襯底，通入含鎵源氮?dú)狻⒙然瘹錃怏w及氨氣，在所述藍(lán)寶石襯底表面生長出GaN納米線，生成GaN納米線層；

使所述GaN納米線橫向生長，生成GaN納米線融合層；

依次在所述GaN納米線融合層上設(shè)置GaN緩沖層、本征GaN層、N型GaN層、AlGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)、P型AlGaN層及P型GaN層，得到所述紫外發(fā)光二極管；

所述GaN納米線層在生長時的環(huán)境溫度范圍為650攝氏度至700攝氏度，包括端點值；

所述GaN納米線融合層在生成時的環(huán)境溫度的范圍為800攝氏度至850攝氏度，包括端點值。

7.如權(quán)利要求6所述的紫外發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，在所述生長出GaN納米線之前，還包括：

在所述藍(lán)寶石襯底表面設(shè)置金屬基底層；

所述在所述藍(lán)寶石襯底表面生長出GaN納米線，生成GaN納米線層包括：

在所述金屬基底層表面生長出GaN納米線，生成GaN納米線層。

8.如權(quán)利要求6所述的紫外發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，所述GaN納米線在生長時的環(huán)境溫度的范圍為650攝氏度至700攝氏度，包括端點值；所述GaN納米線的生長時間的范圍為20分鐘至30分鐘，包括端點值。

9.如權(quán)利要求6所述的紫外發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，所述GaN納米線融合層在生成時的環(huán)境溫度的范圍為800攝氏度至850攝氏度，包括端點值。

10.如權(quán)利要求9所述的紫外發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，所述GaN納米線融合層的生成時間的范圍為20分鐘至30分鐘，包括端點值。