[發明專利]非晶硅膜的形成方法有效
| 申請號： | 201811275135.3 | 申請日： | 2018-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN109841499B | 公開（公告）日： | 2023-03-14 |
| 發明（設計）人： | 辛昌學;崔暎喆 | 申請（專利權）人： | 圓益IPS股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 鄭青松 |
| 地址： | 韓國京畿道平*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非晶硅膜 形成 方法 | ||
1.一種非晶硅膜的形成方法，其特征在于，包括：
第一步驟，在對腔室未施加用于形成等離子體的電源的狀態下，向形成有下部膜的基板供應反應氣體以及惰性氣體并進行氣體穩定化；
第二步驟，在對所述腔室施加功率在500至700W的高頻電源的同時施加功率低于所述高頻電源的功率的低頻電源形成所述反應氣體的等離子體，利用該等離子體在所述下部膜上沉積非晶硅膜；
第三步驟，向所述腔室內供應吹掃氣體；
第四步驟，抽吸所述腔室，
在執行所述第一步驟之后接著執行所述第二步驟，在所述第一步驟和所述第二步驟之間不進行針對下部膜的等離子體預處理步驟，
所述高頻電源具有13.56MHz至27.12MHz的頻率；所述低頻電源具有300KHz至600KHz的頻率，
所述低頻電源的功率比所述高頻電源的功率低，且所述低頻電源的功率在200W以上300W以下，
所述下部膜是從SOH膜、TiN膜、SiCN膜以及SiON膜中選擇的一種。
2.根據權利要求1所述的非晶硅膜的形成方法，其特征在于，
所述反應氣體包括從甲硅烷、乙硅烷和丙硅烷氣體中選擇的至少一種；所述惰性氣體包括從氦(He)、氖(Ne)和氬(Ar)中選擇的至少一種。
3.根據權利要求1所述的非晶硅膜的形成方法，其特征在于，
所述非晶硅膜的厚度在以下。
4.根據權利要求1所述的非晶硅膜的形成方法，其特征在于，
所述高頻電源具有13.56MHz的頻率；所述低頻電源具有370KHz的頻率。
5.根據權利要求1所述的非晶硅膜的形成方法，其特征在于，
所述第二步驟在150至550℃的工藝溫度下執行。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
