[發明專利]高速處理閃存的方法及基于該方法的設備和可讀存儲介質有效
| 申請號: | 201811268116.8 | 申請日: | 2018-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN109597570B | 公開(公告)日: | 2022-03-25 |
| 發明(設計)人: | 呂盼稂;盧小銀 | 申請(專利權)人: | 合肥富煌君達高科信息技術有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/06 | 分類號: | G06F3/06 |
| 代理公司: | 合肥維可專利代理事務所(普通合伙) 34135 | 代理人: | 吳明華 |
| 地址: | 230088 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高速 處理 閃存 方法 基于 設備 可讀 存儲 介質 | ||
本發明公開了一種Flash的格式化和初始化方法,屬于計算機領域,包括:Flash的掃描壞塊,從閃存的EEPROM表中讀取當前壞塊表;判斷是否有壞塊,若是壞塊,將該壞塊寫入壞塊列表中,并將該壞塊從扇區中剔除;若不是壞塊;保留在扇區中;更新壞塊映射表,在內存條的EEPROM中建立更新后的初始化壞塊表;更新初始化壞塊映射表后,建立邏輯塊/物理塊映射表;在EEPROM中記錄邏輯塊使用情況;在EEPROM中建立視頻片段表。本發明示例的技術方案,可以在Flash的格式化過程當中實現一邊擦除一邊寫入的操作,大大提高了Flash格式化的工作效率。
技術領域
本發明屬于計算機領域,具體而言是一種高速處理閃存的方法及基于該方法的設備和可讀存儲介質。
背景技術
自從閃存技術問世以來,一直以低耗能、非易失性、耐震、高儲存密度等迷人的特性,在許多可移植性裝置中,漸漸取代可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)或電池供電的存儲器,如今更是由于當前半導體技術日益精進,閃存的儲存密度與傳輸速度更是有突飛猛進的成長,因此閃存在許多應用方面,更可以取代硬式磁盤驅動器等傳統儲存媒體。
但是由于科技的進步,閃存的市場需求容量在不斷增大,故而使之執行格式化需要處理的區段與分頁隨之增加,進而使執行格式化所需的時間加長,而在廠商未增加其生產設備的情況下,則會因格式化的時間增長而降低產能,進而使生產成本上升而轉嫁至消費者,讓消費者無法以優惠的價格換取高品質的商品。
由此,如何改善閃存格式化的執行效率,即為從事此行業的相關廠商所亟欲研究改善的方向所在。故而,鑒于目前環境存在的可觀問題和因素,于是搜集相關資料,經由多方評估及考量,并以從事于此行業累積的多年經驗,經由不斷試作及修改,始設計出此種格式化的方法。
發明內容
為了解決上述現有技術中的不足,本發明的目的在于提供一種高速處理閃存的方法及基于該方法的設備和可讀存儲介質,在數據過程中執行擦除塊的同時進行寫操作,進行并行運算,填補了目前Flash格式化和初始化操作的一項空白,大大提高了Flash在格式化和初始化過程的工作效率,有效縮短時間。
為了解決上述技術問題,本發明采用如下技術方案:
一種高速處理閃存的方法,包括初始化閃存信息表,具體包括如下步驟:
(11)掃描壞塊:從閃存的EEPROM表中讀取當前壞塊表;
(12)判斷是否有壞塊,若是壞塊,將該壞塊寫入壞塊列表中,并將該快塊從扇區中剔除;若不是壞塊;保留在扇區中;
(13)更新壞塊映射表,在內存條的EEPROM中建立更新后的初始化壞塊表;
(14)更新初始化壞塊映射表后,建立邏輯塊/物理塊映射表;
(15)在EEPROM中記錄邏輯塊使用情況;
(16)在EEPROM中建立視頻片段表。
作為上述方案的進一步優化,包括如下步驟:
(21)讀取初始化閃存信息表,所述閃存信息包括閃存類型和擦除塊大小;
(22)讀寫與擦除處理過程,具體方法為:按塊擦,寫當前擦:
(a)個片選CE,i≥1;
(b)每一個片選CE,包括j個頁面Page,j=1,2,3,....512;
(c)在讀寫過程中,CE1開始執行擦除塊命令,除CE1以外的所有CEi(i≠1)同時進行寫Pagej,且寫Pagej,從j=1遞增寫入;
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