[發明專利]一種信號放大電路及毫米波信號放大電路有效
| 申請號: | 201811267389.0 | 申請日: | 2018-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN109391236B | 公開(公告)日: | 2022-04-19 |
| 發明(設計)人: | 郝迦琛;曹佳;劉浩 | 申請(專利權)人: | 北京無線電測量研究所 |
| 主分類號: | H03F1/26 | 分類號: | H03F1/26;H03F3/193 |
| 代理公司: | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人: | 趙平 |
| 地址: | 100851*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 信號 放大 電路 毫米波 | ||
1.一種信號放大電路,其特征在于,包括信號放大模塊和直流偏置生成模塊;
其中,所述直流偏置生成模塊用于提供第一偏置電壓V1和第二偏置電壓V2;
所述信號放大模塊包括射頻信號輸入端RFin、射頻信號輸出端RFout、第一電壓輸入端VDD1、第一偏置電壓輸入端V1in和第二偏置電壓輸入端V2in,用于基于第一偏置電壓輸入端V1in輸入的第一偏置電壓V1和第二偏置電壓輸入端V2in輸入的第二偏置電壓V2對所述射頻信號輸入端RFin輸入的射頻信號進行低噪聲放大,
其中,所述直流偏置生成模塊包括第二電壓輸入端VDD2、與所述第一偏置電壓輸入端V1in連接的第一偏置電壓V1輸出端V1out、與所述第二偏置電壓輸入端V2in連接的第二偏置電壓V2輸出端V2out、第一偏置電壓生成單元和第二偏置電壓生成單元;
第一偏置電壓生成單元與所述第二電壓輸入端VDD2和所述第一偏置電壓V1輸出端V1out連接;
第二偏置電壓生成單元與所述第二電壓輸入端VDD2和所述第二偏置電壓V2輸出端V2out連接,
其中,所述第一偏置電壓生成單元21包括第二電阻器R2、第三電阻器R3、第四電阻器R4和第三晶體管元件M3;
所述第二電阻器R2的第一端與第二電壓輸入端VDD2連接,第二端與所述第三電阻器R3的第一端和第四電阻器R4的第二端連接;
所述第三電阻器R3的第二端與第三晶體管元件M3的柵極和第一端連接;
所述第三晶體管元件M3的第二端接地Vcom;
所述第四電阻器R4的第一端與所述第一偏置電壓V1輸出端V1out連接;
所述第二偏置電壓生成單元包括第五電阻器R5、第六電阻器R6、第七電阻器R7和第四晶體管元件M4;
所述第五電阻器R5的第一端與第二電壓輸入端VDD2連接,第二端與所述第六電阻器R6的第一端和第七電阻器R7的第一端連接;
所述第六電阻器R6的第二端與第四晶體管元件M4的柵極和第一端連接;
所述第四晶體管元件M4的第二端接地Vcom;
所述第七電阻器R7的第二端與所述第二偏置電壓V2輸出端V2out連接。
2.根據權利要求1所述的信號放大電路,其特征在于,所述信號放大模塊包括第一晶體管元件M1、第二晶體管元件M2、信號放大單元和反饋單元;
所述第一晶體管元件M1的柵極與所述射頻信號輸入端RFin連接,其第一端與所述第二晶體管元件M2的第二端連接,其第二端接地Vcom;
所述第二晶體管元件M2的柵極與所述第二偏置電壓輸入端V2in連接,其第一端與所述信號放大單元和所述第一偏置電壓輸入端V1in分別連接;
所述信號放大單元與所述第一電壓輸入端和所述射頻信號輸出端RFout連接。
3.根據權利要求2所述的信號放大電路,其特征在于,所述信號放大單元包括第一電感器L1、第二電感器L2、第三電感器L3、第四電感器L4、第一電容器C1、第二電容器C2和第三電容器C3;
其中,所述第一電容器C1的第一端與所述第一電壓輸入端VDD1連接,第二端接地Vcom;
所述第一電感器L1的第一端與所述第一電壓輸入端VDD1連接,第二端與所述第二電感器L2的第一端和所述第二電容器C2的第一端分別連接;
所述第二電感器L2的第二端與所述反饋單元和所述第二晶體管元件M2的第一端分別連接;
所述第二電容器C2的第二端與所述第三電感器L3的第一端連接;
所述第三電感器L3的第二端與所述第四電感器L4的第一端和所述第三電容器C3的第一端連接;
所述第三電容器C3的第二端接地Vcom;
所述第四電感器L4的第二端與所述射頻信號輸出端RFout連接。
4.根據權利要求2所述的信號放大電路,其特征在于,所述反饋單元包括第一電阻器R1和第四電容器C4;
所述第一電阻器R1的第一端與所述第一偏置電壓輸入端V1in連接,第二端與所述第一晶體管元件M1的柵極連接;
所述第四電容器C4的第一端與所述第一偏置電壓輸入端V1in連接,第二端與所述信號放大單元和所述第二晶體管元件M2的第一端連接。
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