[發明專利]反應腔室及薄膜沉積設備

在審

• 申請號: 201811257769.6
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN111101097A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 賈強;楊玉杰
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/18
• 分類號: C23C14/18;C23C14/50;C23C14/54
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種反應腔室，包括基座和環繞所述基座設置的偏置磁體組件，其特征在于，還包括偏置磁體升降機構，用于驅動所述偏置磁體組件進行升降運動。

2.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述偏置磁體升降機構包括升降單元和驅動單元，所述升降單元分別與所述驅動單元和所述偏置磁體組件連接，所述驅動單元用于驅動所述升降單元進行升降，以帶動所述偏置磁體組件進行升降運動。

3.根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，所述偏置磁體升降機構還包括第一連接支撐板，所述偏置磁體組件通過所述第一連接支撐板連接與所述升降單元連接。

4.根據權利要求3所述的反應腔室，其特征在于，所述反應腔室中還包括頂針，所述偏置磁體升降機構還包括第二連接支撐板，所述頂針通過所述第二連接支撐板與所述升降單元連接，以在所述驅動單元的驅動下帶動所述頂針與所述偏置磁體組件同步進行升降運動。

5.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述反應腔室內設置有靶材，所述偏置磁體組件與所述靶材之間的距離的取值范圍為90mm～180mm。

6.根據權利要求1-5中任一所述的反應腔室，其特征在于，還包括基座升降機構，用于驅動所述基座進行升降運動，所述偏置磁體組件與所述基座之間的高度差的取值范圍為0mm～10mm。

7.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，還包括內襯，所述內襯環繞所述反應腔室的側壁內側，且所述內襯與所述反應腔室的側壁之間具有預設間距，以能夠容許所述偏置磁體組件上升至所述內襯與所述側壁之間的位置。

8.根據權利要求7所述的反應腔室，其特征在于，所述內襯包括豎直部和傾斜部，其中，

所述豎直部環繞所述反應腔室的側壁內側，且與所述反應腔室的側壁之間具有所述預設間距；

所述傾斜部環繞所述反應腔室的側壁內側，且位于所述豎直部的上方，并且所述傾斜部的下端與所述豎直部的上端連為一體，所述傾斜部的上端與所述反應腔室的側壁固定連接。

9.根據權利要求7所述的反應腔室，其特征在于，所述內襯的材料為非磁性材料。

10.一種薄膜沉積設備，包括反應腔室，其特征在于，所述反應腔室為權利要求1-9中任一所述的反應腔室。