[發明專利]Co(OH)2/TiO2納米管陣列復合材料及其制法有效
| 申請號: | 201811256642.2 | 申請日: | 2018-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN109300702B | 公開(公告)日: | 2020-09-08 |
| 發明(設計)人: | 王鳴;查志飛;李思瑤;安康;王迎波 | 申請(專利權)人: | 遼寧工程技術大學 |
| 主分類號: | H01G11/24 | 分類號: | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46;B82Y30/00;B82Y40/00;C25D11/26 |
| 代理公司: | 沈陽東大知識產權代理有限公司 21109 | 代理人: | 馬海芳 |
| 地址: | 123000 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | co oh tio2 納米 陣列 復合材料 及其 制法 | ||
1.一種Co(OH)2/TiO2納米管陣列復合材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:制備CoCl2水溶液
將CoCl2·6H2O的固體顆粒溶解于蒸餾水中,制得質量濃度為0.01~0.02 g/mL的CoCl2水溶液;
步驟2:混合原料
將TiO2納米管陣列放置于CoCl2水溶液中,超聲,當TiO2納米管陣列中空氣完全排出后,得到混合體系;其中,按質量比,TiO2納米管陣列:CoCl2=(80~200):1;
所述的TiO2納米管陣列排列整齊,管壁的厚度10nm,TiO2納米管陣列的納米管直徑為40~60nm;
步驟3:沉積
向混合體系中,加入摩爾濃度為0.1~0.3 mol/L的氨水,充分攪拌,再用摩爾濃度為0.5~2 mol/L的氨水滴定,當pH值為7.2~8.8時,進行沉積,沉積時間為2~5 h,得到沉積后的Co(OH)2/TiO2納米管陣列復合材料;其中,按摩爾比,Co:氨水=1:(2.5~3.8);
步驟4:清洗
將沉積后的Co(OH)2/TiO2納米管陣列復合材料用蒸餾水清洗,得到的Co(OH)2/TiO2納米管陣列復合材料;
得到的Co(OH)2/TiO2納米管陣列復合材料是以TiO2納米管為基體材料,負載有Co(OH)2納米顆粒;Co(OH)2納米顆粒的粒徑為40.5±13.8 nm;Co(OH)2納米顆粒嵌入在TiO2納米管陣列中,形成“管粒結合”的納米復合結構;
得到的Co(OH)2/TiO2納米管陣列復合材料中,80%~90%的TiO2納米管陣列中均摻滲了Co(OH)2納米顆粒;
得到的Co(OH)2/TiO2納米管陣列復合材料的比電容為260~280 F/g。
2.如權利要求1所述的Co(OH)2/TiO2納米管陣列復合材料的制備方法,其特征在于,所述的TiO2納米管陣列,為采用陽極氧化法電解純鈦金屬薄片制得。
3.如權利要求2所述的Co(OH)2/TiO2納米管陣列復合材料的制備方法,其特征在于,所述的TiO2納米管陣列,其制備方法為:
(1)將純鈦金屬薄片打磨,在進行化學腐蝕,清水沖洗,得到預處理后的純鈦金屬薄片;
(2)以預處理后的純鈦金屬薄片作為陽極,純鐵為陰極,加入電解質,進行電解,得到電解后的TiO2納米管陣列;其中,電解電壓為10~30V,電解時間為0.5~2h,電解質為NH4F和甘油的混合水溶液,其中,按質量百分比,NH4F為0.3~0.6%,甘油為15~30%,余量為水;
(3)將電解后的TiO2納米管陣列進行沖洗,去除其表面的雜質,然后干燥,得到TiO2納米管陣列。
4.如權利要求3所述的Co(OH)2/TiO2納米管陣列復合材料的制備方法,其特征在于,所述的步驟(1)中,所述的化學腐蝕采用的試劑為:HF、HNO3和H2O的混合液;其中,按體積比,HF為5~15%,HNO3為35~45%,余量為水。
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