[發明專利]一種可重構相控陣天線的驅動系統、驅動方法及天線裝置

在審

• 申請號: 201811256407.5
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN109244669A
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 雷東;修威;楊光
• 申請（專利權）人: 北京華鎂鈦科技有限公司
• 主分類號: H01Q3/24
• 分類號: H01Q3/24;H01Q5/314;H01Q5/50;H01Q21/00;H01Q23/00
• 代理公司: 北京慶峰財智知識產權代理事務所(普通合伙) 11417
• 代理人: 李文軍

1.一種可重構相控陣天線的驅動系統，其特征在于，包括移位寄存器、列信號發生裝置、充放電電路以及驅動信號發生裝置，所述移位寄存器由與陣列單元行數相同的n個移位寄存單元依次連接而成，每一個移位寄存單元的輸出端與天線陣列單元的一行相連，所述列信號發生裝置與每一列陣列單元相連，所述充放電電路與每一個天線單元相連，所述驅動信號發生裝置與每個天線單元相連。

2.根據權利要求1所述的一種可重構相控陣天線的驅動系統，其特征在于，所述移位寄存單元包括輸入模塊、上拉模塊及下拉模塊，所述輸入模塊包括第一薄膜晶體管M1，所述上拉模塊包括第二薄膜晶體管M2和第一電容C1，所述下拉模塊包括第三薄膜晶體管M3、第四薄膜晶體管M4、第五薄膜晶體管M5以及第二電容C2，所述第一薄膜晶體管M1的柵極作為信號輸入端和復位端，第一薄膜晶體管M1的漏極與第一電源端相連，第一薄膜晶體管M1的源極與第四薄膜晶體管M4的漏極相連；

所述第三薄膜晶體管M3的漏極、第四薄膜晶體管M4的柵極、第五薄膜晶體管M5的柵極均連接于第一控制節點pd，所述第三薄膜晶體管M3的源極、第四薄膜晶體管M4的源極、第五薄膜晶體管M5的源極均連接于第二電源端，所述第三薄膜晶體管M3的柵極與第四薄膜晶體管M4的漏極連接于第二控制節點pu；

所述第二薄膜晶體管M2的漏極與第一時鐘信號端CLK相連，第二薄膜晶體管M2的柵極與第二控制節點pu相連，第二薄膜晶體管M2的源極作為信號輸出端，且第二薄膜晶體管M2的源極與第五薄膜晶體管M5的漏極相連，所述第一電容C1的一端連接于第二控制節點pu，另一端連接于第二薄膜晶體管M2的源極，所述第二電容C2的一端與第二時鐘信號端CLKB相連，另一端與第一控制節點pd相連。

3.根據權利要求1所述的一種可重構相控陣天線的驅動系統，其特征在于，所述移位寄存單元包括輸入模塊、上拉模塊及下拉模塊，所述輸入模塊包括第一薄膜晶體管M1，所述上拉模塊包括第二薄膜晶體管M2和第一電容C1，所述下拉模塊包括第三薄膜晶體管M3、第四薄膜晶體管M4、第五薄膜晶體管M5以及第二電容C2，所述第一薄膜晶體管M1的柵極作為信號輸入端和復位端，第一薄膜晶體管M1的漏極與第一電源端相連，第一薄膜晶體管M1的源極與第四薄膜晶體管M4的漏極相連；

所述第三薄膜晶體管M3的漏極、第四薄膜晶體管M4的柵極、第五薄膜晶體管M5的柵極均連接于第一控制節點pd，所述第三薄膜晶體管M3的源極、第四薄膜晶體管M4的源極、第五薄膜晶體管M5的源極均連接于第二電源端，所述第三薄膜晶體管M3的柵極與第四薄膜晶體管M4的漏極連接于第二控制節點pu；

所述第二薄膜晶體管M2的漏極與第一時鐘信號端CLK相連，第二薄膜晶體管M2的柵極與第二控制節點pu相連，第二薄膜晶體管M2的源極作為信號輸出端，且第二薄膜晶體管M2的源極與第五薄膜晶體管M5的漏極相連，所述第一電容C1的一端連接于第二控制節點pu，另一端連接于第二薄膜晶體管M2的源極，所述第二電容C2的一端通過非門連接于第一時鐘信號端CLK，另一端與第一控制節點pd相連。