[發(fā)明專利]一種高儲(chǔ)能特性的柔性鈦酸鉍鈉基薄膜電容器及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811256156.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109494076A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊長(zhǎng)紅;韓亞潔;錢進(jìn);呂盼盼;陳樂(lè)欣;林秀娟;黃世峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 濟(jì)南大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01G4/005 | 分類號(hào): | H01G4/005;H01G4/12;H01G4/33 |
| 代理公司: | 濟(jì)南泉城專利商標(biāo)事務(wù)所 37218 | 代理人: | 王翠翠 |
| 地址: | 250022 山東*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜電容器 鈦酸鉍鈉基 制備 高儲(chǔ)能 儲(chǔ)能 電子功能材料 薄膜底電極 鐵電薄膜層 儲(chǔ)能效率 化學(xué)通式 器件領(lǐng)域 熱穩(wěn)定性 鐵電薄膜 云母基片 頂電極 功能層 耐彎折 元器件 金屬 | ||
本發(fā)明屬于電子功能材料與器件領(lǐng)域,具體涉及一種高儲(chǔ)能特性的柔性鈦酸鉍鈉基薄膜電容器及其制備方法。本發(fā)明的薄膜電容器,由柔性云母基片、Pt薄膜底電極、鐵電薄膜層和金屬Pt或Au頂電極組成。本發(fā)明的薄膜電容器,以鈦酸鉍鈉基鐵電薄膜作為功能層,其化學(xué)通式為0.97(0.94Na0.5Bi0.5TiO3?0.06BaTiO3)?0.03BiFeO3?xCeO2?yMnO2,其中0≤x≤1%,0≤y≤2%,且y>x。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、成本低廉,所制備的柔性鈦酸鉍鈉基薄膜電容器耐彎折、儲(chǔ)能密度大、儲(chǔ)能效率高、熱穩(wěn)定性好、損耗低,可滿足柔性儲(chǔ)能元器件的要求。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電子功能材料與器件領(lǐng)域,具體涉及一種高儲(chǔ)能特性的柔性鈦酸鉍鈉基薄膜電容器及其制備方法。
背景技術(shù)
介電儲(chǔ)能電容器因其具有壽命長(zhǎng)、效率高、充放電時(shí)間短等特點(diǎn)而備受青睞。隨著高新技術(shù)的發(fā)展以及器件小型化的發(fā)展趨勢(shì),具有高儲(chǔ)能、低成本、高可靠性、易集成等優(yōu)點(diǎn)的鐵電薄膜電容器成為研究熱點(diǎn)。目前廣泛應(yīng)用于脈沖功率電子、移動(dòng)電子設(shè)備等領(lǐng)域的薄膜電容器多以傳統(tǒng)的鋯鈦酸鉛(PZT)等鉛基鐵電薄膜作為功能層(參考文獻(xiàn):EmeryBrown, Chunrui Ma, Jagaran Acharya, Beihai Ma, Judy Wu and Jun Li,Controlling dielectric and relaxor-ferroelectric properties for energystorage by tuning Pb0.92La0.08Zr0.52Ti0.48O3 film thickness,
進(jìn)入新世紀(jì),物聯(lián)網(wǎng)和柔性電子技術(shù)的興起,對(duì)電子材料提出了更高的要求,既要求其性能卓越,也需要具備良好的柔性及延展性。柔性電子器件由于其輕質(zhì)便攜、智能可穿戴、界面人性化等突出特點(diǎn)可用于柔性顯示、智能傳感、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。目前,以硬性襯底為基底材料的鈦酸鉍鈉基薄膜電容器表現(xiàn)出良好的儲(chǔ)能特性,例如,Zhang等人通過(guò)在Pt/Ti/SiO2/Si襯底上生長(zhǎng)了SrTiO3固溶改性的Na0.5Bi0.5TiO3薄膜,其儲(chǔ)能密度可達(dá)27 J/cm3(參考文獻(xiàn):Yulei Zhang, Weili Li, Wenping Cao, Yu Feng, Yulong Qiao, TiandongZhang and Weidong Fei, Mn doping to enhance energy storage performance oflead-free 0.7NBT-0.3ST thin films with weak oxygen vacancies,
發(fā)明內(nèi)容
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