[發(fā)明專利]一種堿溶液中晶面選擇性刻蝕BiVO4 有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811254243.2 | 申請(qǐng)日： | 2018-10-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111097404B | 公開（公告）日： | 2023-01-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉崗;甄超;成會(huì)明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院金屬研究所 |
| 主分類號(hào)： | B01J23/22 | 分類號(hào)： | B01J23/22 |
| 代理公司： | 沈陽(yáng)優(yōu)普達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 張志偉 |
| 地址： | 110016 遼*** | 國(guó)省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 溶液 中晶面 選擇性 刻蝕 bivo base sub | ||
1.一種堿溶液中晶面選擇性刻蝕BiVO4的方法，其特征在于，以具有特定晶面暴露的BiVO4為原材料，利用BiVO4不同晶面在堿性溶液中的穩(wěn)定性差異，在堿性溶液中實(shí)現(xiàn)對(duì)BiVO4（010）晶面的選擇性刻蝕，將平整的（010）晶面被刻蝕成四棱錐陣列，堿性溶液刻蝕溫度為80℃；
BiVO4原材料的結(jié)構(gòu)形式為單晶薄膜、多晶薄膜或粉體；
特定晶面暴露的BiVO4是指表面暴露有（010）和（110）晶面的BiVO4光催化材料，（010）晶面為還原性晶面，而（110）晶面為氧化性晶面，通過晶面選擇性暴露調(diào)制金屬氧化物表面原子/電子結(jié)構(gòu)，有效提高光生電荷的表面轉(zhuǎn)移效率；
堿性溶液刻蝕時(shí)間為1分鐘至24小時(shí)。
2.按照權(quán)利要求1所述的堿溶液中晶面選擇性刻蝕BiVO4的方法，其特征在于，堿性溶液涵蓋pH大于7的各種溶液。
3.按照權(quán)利要求1所述的堿溶液中晶面選擇性刻蝕BiVO4的方法，其特征在于，堿性溶液pH為9至14。
4.按照權(quán)利要求1所述的堿溶液中晶面選擇性刻蝕BiVO4的方法，其特征在于，堿性溶液刻蝕時(shí)間為30分鐘至2小時(shí)。
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