[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201811247777.2
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN109786437A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 金商瑛;裴德漢;柳炳贊;全多云
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王洵

一種半導體器件，包括：第一有源區，在襯底上沿第一方向延伸；第二有源區，在襯底沿第一方向延伸，并且與第一有源區平行；元件隔離區，在第一有源區和第二有源區之間；柵極結構，沿與第一方向不同的第二方向延伸，并且與第一有源區和第二有源區交叉；下接觸件，沿第一方向與柵極結構間隔開，下接觸件在第一有源區、元件隔離區和第二有源區上；以及上接觸件，在第一有源區和第二有源區之間位于下接觸件上。下接觸件在第一有源區上的沿第一方向的寬度窄于下接觸件在元件隔離區上的沿第一方向的寬度。

相關申請的交叉引用

2017年11月15日在韓國知識產權局提交的題為“Semiconductor Device”的韓國專利申請第10-2017-0152071號，通過引用整體并入本文中。

技術領域

實施例涉及一種半導體器件。

背景技術

為了半導體器件密度增強，已經提出了多柵極晶體管來作為縮放技術之一，根據該技術，在襯底上形成鰭狀形狀的硅體，然后在硅體的表面上形成柵極。

多柵極晶體管可以通過使用三維溝道來實現更大的縮放。此外，可以在不增加多柵極晶體管的柵極長度的情況下增強電流控制能力。此外，可以抑制短溝道效應(SCE)，SCE是溝道區的電勢受到漏極電壓影響的一種現象。

發明內容

實施例涉及一種半導體器件，包括：第一有源區，在襯底上沿第一方向延伸；第二有源區，在襯底上沿第一方向延伸，并且與第一有源區平行；元件隔離區，在第一有源區和第二有源區之間；柵極結構，沿與第一方向不同的第二方向延伸，并且與第一有源區和第二有源區交叉；下接觸件，沿第一方向與柵極結構間隔開，下接觸件在第一有源區、元件隔離區和第二有源區上；以及上接觸件，在第一有源區和第二有源區之間位于下接觸件上。下接觸件在第一有源區上的沿第一方向的寬度窄于下接觸件在元件隔離區上的沿第一方向的寬度。

實施例還涉及一種半導體器件，包括：第一有源區，沿在襯底上第一方向延伸；第二有源區，在襯底上沿第一方向延伸，并且與第一有源區平行；元件隔離區，在第一有源區和第二有源區之間；第一柵極結構，沿不同于第一方向的第二方向上，并且與第一有源區和第二有源區交叉；第二柵極結構，沿第二方向延伸，并且與第一有源區和第二有源區交叉，第二柵極結構沿第一方向與第一柵極結構間隔開；下接觸件，在第一柵極結構和第二柵極結構之間包括布置在第一有源區上的第一部分、布置在元件隔離區上的第二部分和布置在第二有源區上的第三部分；以及上接觸件，在下接觸件的第二部分上，上接觸件沿第一方向的寬度窄于下接觸件的第二部分沿第一方向的寬度。下接觸件的第一部分沿第一方向的寬度可以窄于下接觸件的第二部分沿第一方向的寬度。

實施例還涉及一種半導體器件，包括：第一有源區至第四有源區，在襯底上分別沿第一方向延伸，并且沿不同于第一方向的第二方向依次彼此間隔開；柵極結構，沿第二方向延伸，并且與第一有源區至第四有源區交叉；第一元件隔離區，在第一有源區和第二有源區之間；第二元件隔離區，在第二有源區和第三有源區之間；第三元件隔離區，在第三有源區和第四有源區之間；下接觸件，沿第一方向與柵極結構間隔開，下接觸件在第一有源區至第四有源區和第一元件隔離區至第三元件隔離區上；第一上接觸件，在下接觸件上并且與第一元件隔離區重疊；第二上接觸件，在下接觸件上并且與第二元件隔離區重疊；以及第三上接觸件，在下接觸件上并且與第三元件隔離區重疊。與第一有源區至第四有源區中的每一個重疊的下接觸件沿第一方向的寬度可以窄于與第一元件隔離區至第三元件隔離區中的每一個重疊的下接觸件沿第一方向的寬度。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述示例實施例，特征對于本領域技術人員將變得顯而易見，在附圖中：

圖1示出了根據一些示例實施例的用于說明半導體器件的布局圖；

圖2示出了沿圖1的線A-A截取的橫截面圖；

圖3示出了沿圖1的線B-B截取的橫截面圖；