[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201811247777.2
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN109786437A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 金商瑛;裴德漢;柳炳贊;全多云
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王洵

1.一種半導體器件，包括：

第一有源區，在襯底上沿第一方向延伸；

第二有源區，在所述襯底上沿所述第一方向延伸，并且與所述第一有源區平行；

元件隔離區，在所述第一有源區和所述第二有源區之間；

柵極結構，沿與所述第一方向不同的第二方向延伸，并且與所述第一有源區和所述第二有源區交叉；

下接觸件，沿所述第一方向與所述柵極結構間隔開，所述下接觸件在所述第一有源區、所述元件隔離區和所述第二有源區上；以及

上接觸件，在所述第一有源區和所述第二有源區之間位于所述下接觸件上，

其中，所述下接觸件在所述第一有源區上的沿所述第一方向的寬度窄于所述下接觸件在所述元件隔離區上的沿所述第一方向的寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述上接觸件的下表面沿所述第一方向的寬度窄于所述下接觸件在所述元件隔離區上的沿所述第一方向的寬度。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述上接觸件的上表面沿所述第一方向的寬度窄于所述下接觸件在所述元件隔離區上的沿所述第一方向的寬度。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述上接觸件的下表面沿所述第二方向的寬度窄于所述下接觸件在所述元件隔離區上的沿所述第二方向的寬度。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述上接觸件的上表面沿所述第二方向的寬度窄于所述下接觸件在所述元件隔離區上的沿所述第二方向的寬度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述下接觸件在所述第二有源區上的沿所述第一方向的寬度窄于所述下接觸件在所述元件隔離區上的沿所述第一方向的寬度。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述柵極結構與在所述第一有源區上的所述下接觸件之間的第一距離大于所述柵極結構與在所述元件隔離區上的所述下接觸件之間的第二距離。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述柵極結構與在所述第二有源區上的所述下接觸件之間的第三距離大于所述柵極結構與在所述元件隔離區上的所述下接觸件之間的第二距離。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，在所述元件隔離區上的所述下接觸件是凸出形成的，以朝向所述柵極結構所處的方向突出。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，與所述襯底所在的平面平行地形成的所述下接觸件的平面具有橢圓形狀。

11.一種半導體器件，包括：

第一有源區，在襯底上沿第一方向延伸；

第二有源區，在所述襯底上沿所述第一方向延伸，并且與所述第一有源區平行；

元件隔離區，在所述第一有源區和所述第二有源區之間；

第一柵極結構，沿與所述第一方向不同的第二方向延伸，并且與所述第一有源區和所述第二有源區交叉；

第二柵極結構，沿所述第二方向延伸，并且與所述第一有源區和所述第二有源區交叉，所述第二柵極結構沿所述第一方向與所述第一柵極結構間隔開；

下接觸件，在所述第一柵極結構和所述第二柵極結構之間包括布置在所述第一有源區上的第一部分、布置在所述元件隔離區上的第二部分、以及布置在所述第二有源區上的第三部分；以及

上接觸件，在所述下接觸件的第二部分上，所述上接觸件沿所述第一方向的寬度窄于所述下接觸件的第二部分沿所述第一方向的寬度，

其中，所述下接觸件的第一部分沿所述第一方向的寬度窄于所述下接觸件的第二部分沿所述第一方向的寬度。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述下接觸件的第三部分沿所述第一方向的寬度窄于所述下接觸件的第二部分沿所述第一方向的寬度。