[發(fā)明專利]小型化雙層半模基片集成波導(dǎo)六端口器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811241385.5 | 申請日： | 2018-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN109585994B | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉水;許鋒 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京郵電大學(xué) |
| 主分類號： | H01P5/12 | 分類號： | H01P5/12 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102 | 代理人： | 姚姣陽 |
| 地址： | 210023 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 小型化 雙層 半模基片 集成 波導(dǎo) 端口 器件 | ||
1.小型化雙層半模基片集成波導(dǎo)六端口器件，其特征在于：包括疊合放置且相互貼合的頂層介質(zhì)基片(2)、底層介質(zhì)基片(4)及設(shè)置在二者之間的中間層金屬層(3)，頂層介質(zhì)基片(2)的上表面設(shè)置有頂層金屬層(1)，底層介質(zhì)基片(4)的下表面設(shè)置有底層金屬層(5)；
所述頂層介質(zhì)基片(2)與底層介質(zhì)基片(4)上均設(shè)置有兩組相互對稱的金屬化通孔，頂層介質(zhì)基片(2)上的兩組金屬化通孔與頂層金屬層(1)、頂層介質(zhì)基片(2)及中間層金屬層(3)構(gòu)成第一基片集成波導(dǎo)，頂層介質(zhì)基片(2)上其中一組金屬化通孔與頂層金屬層(1)、頂層介質(zhì)基片(2)及中間層金屬層(3)構(gòu)成第一半模基片集成波導(dǎo)；底層介質(zhì)基片(4)上的兩組金屬化通孔與底層金屬層(5)、底層介質(zhì)基片(4)及中間層金屬層(3)構(gòu)成第二基片集成波導(dǎo)，底層介質(zhì)基片(4)上其中一組金屬化通孔與底層金屬層(5)、底層介質(zhì)基片(4)及中間層金屬層(3)構(gòu)成第二半模基片集成波導(dǎo)，第一半模基片集成波導(dǎo)與第二半模基片集成波導(dǎo)構(gòu)成雙層半模基片集成波導(dǎo)；
頂層金屬層(1)上設(shè)置有兩條與第一半模基片集成波導(dǎo)相連接的第一微帶線(11)、及一條與第一基片集成波導(dǎo)相連接的第三微帶線(12)，底層金屬層(5)上設(shè)置有兩條與第二半模基片集成波導(dǎo)相連接的第二微帶線(51)、及一條與第二基片集成波導(dǎo)相連接的第四微帶線(52)，兩條第一微帶線(11)、兩條第二微帶線(51)、第三微帶線(12)與第四微帶線(52)構(gòu)成該雙層半模基片集成波導(dǎo)六端口器件的六個端口；所述中間層金屬層(3)上開設(shè)有兩排相互對稱的圓孔(31)，所述頂層金屬層(1)上還開設(shè)有多個互補開口諧振環(huán)(14)；
每排所述圓孔(31)的數(shù)量不少于5個，圓孔(31)圓心的連線與所述金屬化通孔中心的連線相平行，且每相鄰兩個圓孔(31)圓心之間的距離相等并為四分之一導(dǎo)波波長；每排所述圓孔(31)均位于第一半模基片集成波導(dǎo)的中心或第二半模基片集成波導(dǎo)的中心；
多個所述互補開口諧振環(huán)(14)呈直線排列，且相鄰兩個互補開口諧振環(huán)(14)中心之間的間距相等且為四分之一導(dǎo)波波長；所述互補開口諧振環(huán)(14)位于第一半模基片集成波導(dǎo)內(nèi)，且互補開口諧振環(huán)(14)中靠近所述金屬化通孔的一邊緣距離金屬化通孔的距離為0.55mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化雙層半模基片集成波導(dǎo)六端口器件，其特征在于：每組所述金屬化通孔均包括兩排金屬化通孔，且兩排金屬化通孔呈“L”型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化雙層半模基片集成波導(dǎo)六端口器件，其特征在于：所述六個端口包括兩個輸入端口與四個輸出端口，所述第三微帶線(12)與第四微帶線(52)均為輸入端口，兩條第一微帶線(11)與兩條第二微帶線(51)均為輸出端口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化雙層半模基片集成波導(dǎo)六端口器件，其特征在于：所述頂層金屬層(1)上開設(shè)有用于實現(xiàn)兩個第一半模基片集成波導(dǎo)同相功率分配的第一凹口(13)；所述底層金屬層(5)上開設(shè)有用于實現(xiàn)兩個第二半模基片集成波導(dǎo)同相功率分配的第二凹口(53)，第一凹口(13)與第二凹口(53)在水平面上的投影相重合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化雙層半模基片集成波導(dǎo)六端口器件，其特征在于：所述第一基片集成波導(dǎo)與第二基片集成波導(dǎo)均呈“T”型，所述第一基片集成波導(dǎo)包括兩個第一半模基片集成波導(dǎo)，所述第二基片集成波導(dǎo)包括兩個第二半模基片集成波導(dǎo)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化雙層半模基片集成波導(dǎo)六端口器件，其特征在于：所述頂層介質(zhì)基片(2)與底層介質(zhì)基片(4)均為Rogers 5880介質(zhì)板，其中，介電常數(shù)為2.2，厚度為0.5mm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京郵電大學(xué)，未經(jīng)南京郵電大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811241385.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
