[發明專利]半導體元件

在審

• 申請號: 201811234220.5
• 申請日: 2018-10-23
• 公開（公告）號: CN109860184A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 廖忠志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L29/78;H01L21/8238;H01L21/336
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種半導體元件，包含第一鰭、第二鰭、隔離柵極及虛設介電柵極。第一及第二鰭沿第一方向延伸。隔離柵極沿第二方向延伸且與第一鰭交叉。隔離柵極包含導電材料。虛設介電柵極自隔離柵極的一端起沿第二方向延伸，且與第二鰭重疊。

技術領域

本揭露是關于半導體元件。

背景技術

半導體集成電路(integrated circuit；IC)產業已經歷指數發展。集成電路材料及設計的技術進展已產生多代集成電路，每一代皆別前代具有更小及更復雜的電路。在集成電路進化過程中，功能密度(亦即，單位晶片面積的互連元件數目)大致已增大，而幾何形狀尺寸(亦即，可通過使用制作制程產生的最小組件(或線路))已減小。此按比例縮小制程一般通過提高生產效率及降低相關成本而提供益處。

發明內容

在部分實施例中，半導體元件包含第一鰭、第二鰭、隔離柵極及虛設介電柵極。第一及第二鰭沿第一方向延伸。隔離柵極沿第二方向延伸，且與第一鰭交叉。隔離柵極包含導電材料。虛設介電柵極自隔離柵極的一端起沿第二方向上延伸，且與第二鰭重疊。

附圖說明

本揭露的態樣在結合附圖閱讀以下詳細說明時得以最清晰地理解。應注意，依據產業中的標準慣例，各種特征并非按比例繪制。事實上，各種特征的尺寸可任意增大或減小，以便于論述明晰。

圖1是一示例性鰭式場效晶體管元件的一立體圖；

圖2繪示一互補式金氧半導體配置中的鰭式場效晶體管的剖面圖；

圖3繪示本揭露的部分實施例中的一標準(standard；STD)單元陣列的布局的一俯視圖；

圖4A圖示根據本揭露的部分實施例的各種邏輯柵極的電路示意圖；

圖4B繪示根據本揭露的部分實施例的對應于圖4A中圖示的邏輯柵極的一布局的一俯視圖；

圖5至圖8繪示一半導體元件的不同的剖面圖，半導體元件具有如圖4B中圖示的布局；

圖9A、圖10A、圖11A、圖12A、圖13A及圖14A是根據本揭露的部分實施例而對應于圖4B中的剖線5-5在制造半導體元件的各種階段的示例性剖面圖；

圖9B、圖10B、圖11B、圖12B、圖13B及圖14B是根據本揭露的部分實施例而對應于圖4B中的剖線6-6在制造半導體元件的各種階段的示例性剖面圖；

圖9C、圖10C、圖11C、圖12C、圖13C及圖14C是根據本揭露的部分實施例而對應于圖4B中的剖線9-9在制造半導體元件的各種階段的示例性剖面圖；

圖15是依據本揭露的部分實施例的制造一半導體元件的一方法的流程圖；以及

圖16及圖17繪示根據本揭露的部分實施例的各種正反器(flip-flop)單元的電路示意圖。

具體實施方式

以下揭露提供眾多不同實施例或實例以用于實施本案提供標的的不同特征。下文描述組件及配置的特定實例以簡化本揭露。當然，此僅系實例，并非意欲限制。例如，下文描述中第一特征于第二特征上方或之上的形成可包含第一特征與第二特征直接接觸而形成的實施例及亦可包含第一特征與第二特征之間可能形成額外特征，以使得第一特征與第二特征不可直接接觸的實施例。此外，本揭露可在各種實例中重復參考數字及/或字母。此重復系以簡單與明晰為目的，且其自身不規定本文論述的各種實施例及/或配置之間的關系。