[發(fā)明專利]鰭式場(chǎng)效晶體管裝置的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811234219.2
• 申請(qǐng)日: 2018-10-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109860052A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李勝男;林國(guó)楹;蘇品全;蔡騰群
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/02
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

一種鰭式場(chǎng)效晶體管裝置的制造方法。在此鰭式場(chǎng)效晶體管裝置的制造方法中，首先，蝕刻晶圓的半導(dǎo)體基材以形成至少一鰭。然后，形成絕緣結(jié)構(gòu)于此至少一鰭的周圍。接著，凹陷此至少一鰭。接下來(lái)，磊晶地成長(zhǎng)磊晶通道結(jié)構(gòu)于凹陷的此至少一鰭上。然后，除去絕緣結(jié)構(gòu)的頂表面上的磊晶通道結(jié)構(gòu)的部分。接著，在除去磊晶通道結(jié)構(gòu)的前述部分后，進(jìn)行非接觸式清洗作業(yè)以清洗晶圓的頂表面。接下來(lái)，在除去磊晶通道結(jié)構(gòu)的前述部分后，使用氟化氫清洗該晶圓的頂表面。然后，凹陷絕緣結(jié)構(gòu)，以致于磊晶通道結(jié)構(gòu)自凹陷的絕緣結(jié)構(gòu)突伸。

技術(shù)領(lǐng)域

本揭露是關(guān)于一種半導(dǎo)體的制造方法，且特別是提供一種鰭式場(chǎng)效晶體管裝置的制造方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(integrated circuit，IC)工業(yè)已經(jīng)歷快速的成長(zhǎng)。在集成電路發(fā)展過(guò)程中，當(dāng)幾何尺寸(即利用制作流程可形成的最小組件(或線))已減小的同時(shí)時(shí)，功能密度(即每一晶片面積內(nèi)連接裝置的數(shù)量)已普遍增加。這樣的尺寸縮小制程，一般提供了增加產(chǎn)品效能且降低相關(guān)成本的優(yōu)點(diǎn)。但尺寸縮小亦會(huì)增加集成電路制程及制造上的復(fù)雜度。舉例來(lái)說(shuō)，在整個(gè)集成電路制作流程中進(jìn)行的晶圓清洗程序。然而，傳統(tǒng)的清洗程序無(wú)法在所有面向上完全滿足。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，本揭露揭示一種半導(dǎo)體的制造方法。在此半導(dǎo)體的制造方法中，首先，蝕刻晶圓的半導(dǎo)體基材以形成至少一鰭。然后，形成絕緣結(jié)構(gòu)于此至少一鰭的周圍。接著，凹陷此至少一鰭。接下來(lái)，磊晶地成長(zhǎng)磊晶通道結(jié)構(gòu)于凹陷的此至少一鰭上。然后，除去絕緣結(jié)構(gòu)的頂表面上的磊晶通道結(jié)構(gòu)的部分。接著，在除去磊晶通道結(jié)構(gòu)的前述部分后，進(jìn)行非接觸式清洗作業(yè)以清洗晶圓的頂表面。接下來(lái)，在除去磊晶通道結(jié)構(gòu)的前述部分后，使用氟化氫清洗該晶圓的頂表面。然后，凹陷絕緣結(jié)構(gòu)，以致于磊晶通道結(jié)構(gòu)自凹陷的絕緣結(jié)構(gòu)突伸。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合隨附附圖閱讀時(shí)，自以下詳細(xì)描述將最佳地理解本揭露的態(tài)樣。應(yīng)注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)務(wù)，附圖中的各特征并非按比例繪制。實(shí)際上，可出于論述清晰的目的任意增減所說(shuō)明的特征的尺寸。

圖1A至圖1L是繪示根據(jù)本揭露一些實(shí)施例顯示FinFET裝置的制造方法的中間階段的附圖結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2A是繪示圖1G所示的清洗具有經(jīng)研磨的磊晶通道結(jié)構(gòu)的晶圓的方法；

圖2B是繪示根據(jù)本揭露一些實(shí)施例顯示沖洗清潔裝置的附圖結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2C是繪示根據(jù)本揭露一些實(shí)施例顯示使用接觸式清洗作業(yè)的接觸式清洗裝置的附圖結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2D是繪示根據(jù)本揭露一些實(shí)施例顯示使用非接觸式清洗作業(yè)的非接觸式清洗裝置的附圖結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2E是繪示根據(jù)本揭露一些實(shí)施例顯示清洗周期操作的流程圖；

圖2F是繪示根據(jù)本揭露一些實(shí)施例顯示清洗周期操作的流程圖；

圖2G是繪示根據(jù)本揭露一些實(shí)施例顯示清洗磊晶通道結(jié)構(gòu)的方法的流程圖；

圖2H是繪示根據(jù)本揭露一些實(shí)施例顯示清洗磊晶通道結(jié)構(gòu)的方法的流程圖；

圖2I是繪示根據(jù)本揭露一些實(shí)施例顯示清洗磊晶通道結(jié)構(gòu)的方法的流程圖；

圖2J是繪示根據(jù)本揭露一些實(shí)施例顯示清洗磊晶通道結(jié)構(gòu)的方法的流程圖；

圖2K是根據(jù)第一例顯示晶圓上的有機(jī)殘留物的X-射線光電子光譜(x-rayphotoelectron spectroscopy，XPS)測(cè)量；

圖2L是根據(jù)第二例顯示晶圓100上的有機(jī)殘留物的X-射線光電子光譜測(cè)量；

圖3是本揭露一些實(shí)施例顯示制造半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式