[發明專利]相變存儲器結構在審
| 申請號： | 201811233728.3 | 申請日： | 2018-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN110416407A | 公開（公告）日： | 2019-11-05 |
| 發明（設計）人： | 吳昭誼 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 蔣林清 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 相變材料 相變存儲器結構 底部電極 第一開關 頂部電極 頂面 | ||
【權利要求書】：
1.一種相變存儲器結構，其包括：
底部電極；
第一相變材料，其接觸所述底部電極的頂面；
第一開關，其位于所述第一相變材料上方；
第二相變材料，其位于所述第一開關上方；及
頂部電極，其位于所述第二相變材料上方。
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