[發(fā)明專利]化學水浴鍍膜裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811231485.X | 申請日: | 2018-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN109161875A | 公開(公告)日: | 2019-01-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 惠述偉;張升飛;朱海安 | 申請(專利權(quán))人: | 華夏易能(廣東)新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C18/16 | 分類號: | C23C18/16;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京尚倫律師事務所 11477 | 代理人: | 毛宏寶 |
| 地址: | 517000 廣東省河源市高新技術產(chǎn)業(yè)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反應槽 鍍膜 饋入單元 襯板 鍍膜裝置 固定結(jié)構(gòu) 化學水 側(cè)面 加熱 加熱器 緩存 固定放置 內(nèi)部中空 不均勻 鍍膜面 均勻性 噴射口 正投影 沉積 導管 預設 薄膜 連通 平行 | ||
本發(fā)明是關于一種化學水浴鍍膜裝置。該裝置包括:反應槽,包括固定結(jié)構(gòu),固定結(jié)構(gòu)用于固定放置于反應槽內(nèi)的待鍍膜襯板;饋入單元,設置在反應槽的槽內(nèi),與放置于反應槽內(nèi)的待鍍膜襯板平行,饋入單元內(nèi)部中空,用于緩存加熱后的反應液;饋入單元的第一側(cè)面有噴射口,第一側(cè)面為朝向待鍍膜襯板的面,其中,第一側(cè)面在待鍍膜襯板的待鍍膜面上的正投影的面積至少占待鍍膜面面積的預設比值;加熱器,位于反應槽外,通過導管與饋入單元連通,使加熱后的反應液注入饋入單元。該技術方案可以提升反應槽內(nèi)反應液的濃度和溫度的均勻性,避免由于反應槽的底部與上部的反應液的濃度、溫度相差較大,所造成的在待鍍膜襯板上沉積的薄膜的厚度不均勻的問題。
技術領域
本發(fā)明涉及表面工程技術領域,尤其涉及一種化學水浴鍍膜裝置。
背景技術
在銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的多層薄膜結(jié)構(gòu)中,硫化鎘薄膜作為緩沖層對電池的光電轉(zhuǎn)換效率的提升具有重要影響。
在硫化鎘薄膜的制備技術中,化學水浴沉積技術被廣泛使用,采用化學水浴沉積技術的襯板立式鍍膜方法是一種常用的硫化鎘薄膜制備方法,多用于制備大尺寸的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池所需的硫化鎘薄膜,且生產(chǎn)效率高。在相關技術中,襯板立式鍍膜方法中所采用的化學水浴鍍膜裝置在襯板上沉積硫化鎘薄膜時,由外部加熱器加熱的反應液從安裝在反應槽底部的饋入管的上噴射口持續(xù)不斷地饋入反應槽,如此,為所屬反應槽內(nèi)的立式襯板鍍膜。然而,此種反應液的饋入方式會造成槽底的反應液的溫度和濃度高于頂部,致使在襯板同一表面的上、下部所沉積的硫化鎘薄膜的厚度嚴重不一致,從而增大了對硫化鎘薄膜厚度、硫化鎘薄膜的整體均勻程度、反應液濃度的控制難度,并減少了反應液的使用次數(shù),增加了硫化鎘薄膜的制備成本。
發(fā)明內(nèi)容
為了提高襯板上沉積的硫化鎘薄膜的均勻程度,本發(fā)明實施例提供一種化學水浴鍍膜裝置。該技術方案如下:
根據(jù)本發(fā)明實施例的第一方面,提供一種化學水浴鍍膜裝置,包括:
反應槽,包括固定結(jié)構(gòu),所述固定結(jié)構(gòu)用于固定放置于所述反應槽內(nèi)的待鍍膜襯板;
饋入單元,設置在所述反應槽的槽內(nèi),與放置于所述反應槽內(nèi)的所述待鍍膜襯板平行,所述饋入單元內(nèi)部中空,用于緩存加熱后的反應液;所述饋入單元的第一側(cè)面有噴射口,所述第一側(cè)面為朝向所述待鍍膜襯板的面,其中,所述第一側(cè)面在所述待鍍膜襯板的待鍍膜面上的正投影的面積至少占所述待鍍膜面面積的預設比值;
加熱器,位于所述反應槽外部,通過導管與所述饋入單元連通,使加熱后的反應液注入所述饋入單元。
在一個實施例中,所述饋入單元還包括至少兩個注液口和第二側(cè)面;所述第二側(cè)面與所述第一側(cè)面相鄰,包括兩個相對的側(cè)面,或者包括四個側(cè)面;所述至少兩個注液口設置于所述兩個相對的側(cè)面,或者設置于所述四個側(cè)面。
在一個實施例中,所述第二側(cè)面中的每一個側(cè)面上設置有N個注液口,所述N為大于等于1的整數(shù);在所述N為奇數(shù)時,所述N個注液口中的一個注液口位于所述側(cè)面的中間位置,(N-1)/2個注液口位于所述一個注液口的一側(cè),剩余(N-1)/2個注液口位于所述一個注液口的另一側(cè);在所述N為偶數(shù)時,N/2個注液口位于所述側(cè)面的半側(cè),剩余N/2個注液口位于所述側(cè)面的另半側(cè)。
在一個實施例中,所述還包括M個調(diào)壓泵,所述M為大于等于1的整數(shù),所述M個調(diào)壓泵通過所述導管分別連接所述饋入單元上的各注液口和所述加熱器,用于從所述加熱器內(nèi)抽取反應液后通過所述饋入單元上的各注液口注入所述饋入單元。
在一個實施例中,所述預設比值等于二分之一。
在一個實施例中,所述第一側(cè)面包括兩個側(cè)面;所述兩個側(cè)面以相同的預設密度均勻設置噴射口。
在一個實施例中,所述噴射口的側(cè)壁設置有螺紋。
在一個實施例中,所述反應槽上設置有通孔,所述導管通過所述通孔與所述反應槽固定連接。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態(tài)化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產(chǎn)物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
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C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





