[發(fā)明專利]玻璃再生處理方法、再生玻璃基板及使用其的光掩模坯料和光掩模有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811229615.6 | 申請日： | 2013-09-19 |
| 公開（公告）號： | CN109298594B | 公開（公告）日： | 2021-12-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 木下一樹;二島悟;青木陽祐;板倉敬二郎 | 申請（專利權(quán)）人： | 大日本印刷株式會社 |
| 主分類號： | G03F1/60 | 分類號： | G03F1/60;B09B5/00;C03C15/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 蔣亭 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 玻璃 再生 處理 方法 使用 光掩模 坯料 | ||
1.一種光掩模用玻璃基板，其是對在玻璃基板的至少一面以金屬薄膜形成圖案而成的光掩模進(jìn)行再生處理后的玻璃基板，其特征在于，
在所述玻璃基板上，作為光掩模所形成的金屬薄膜被蝕刻液溶解去除，
并對該玻璃基板進(jìn)行濕式潤濕性均勻化處理直至在呼氣像檢查中不出現(xiàn)所述圖案，
所述蝕刻液為硝酸鈰銨、高氯酸或硝酸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模用玻璃基板，其特征在于，重復(fù)進(jìn)行所述濕式潤濕性均勻化處理和所述呼氣像檢查。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光掩模用玻璃基板，其特征在于，其通過所述濕式潤濕性均勻化處理使光掩模用玻璃基板表面的潤濕性被均勻化。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光掩模用玻璃基板，其特征在于，所述濕式潤濕性均勻化處理是采用堿性水溶液所進(jìn)行的處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光掩模用玻璃基板，其特征在于，所述堿性水溶液的堿成分為氫氧化鉀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光掩模用玻璃基板，其特征在于，在進(jìn)行了再生處理的所述光掩模用玻璃基板的表面，水的接觸角之差為1度以下。
7.一種光掩模用坯料，其特征在于，其使用了權(quán)利要求1或2所述的光掩模用玻璃基板。
8.一種光掩模，其特征在于，其使用了權(quán)利要求7所述的光掩模用坯料。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于大日本印刷株式會社，未經(jīng)大日本印刷株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811229615.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
