[發明專利]一種基于CPAD的雙調制頻率的像素結構在審
| 申請號: | 201811229490.7 | 申請日: | 2018-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN111083400A | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發明(設計)人: | 徐江濤;李嘉文;苗津;劉伯文;張培文 | 申請(專利權)人: | 天津大學青島海洋技術研究院 |
| 主分類號: | H04N5/355 | 分類號: | H04N5/355;H04N5/372 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 266109 山東省青島市鰲*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 cpad 調制 頻率 像素 結構 | ||
1.一種基于CPAD的雙調制頻率的像素結構,其特征在于:光電探測器由一個CAPD像素中的四個電極組成,兩個用于探測器收集信號,兩個用于偏置以輔助更快的電荷流;VA和VB兩個不同電極處接入和調制光源同頻率但相位相反的調制頻率CLKA和CLKB,以分別加速不同相位收集到光生電荷的轉移;在得到四個不同相位的代表距離信息的電子數之后便可利用相關公式計算得出被照物體的深度信息,收集四個相位的信息以便消減來自于背景光的影響;此外,它還具有電荷轉移柵極,復位晶體管,源極跟隨放大器和像素選擇晶體管。
2.根據權利要求1所述一種基于CPAD的雙調制頻率的像素結構,其特征在于:電荷轉移柵極管將感光用的光電二極管的N埋層與硅-二氧化硅界面隔開,使像素的暗電流大大減小,相對于3T像素新增的FD節點使得相關雙采樣得以實現,從而大大降低了隨機噪聲并抑制了固定模式噪聲。
3.根據權利要求1所述一種基于CPAD的雙調制頻率的像素結構,其特征在于:復位晶體管用于給FD節點復位,以便采集需要的曝光信號和復位信號。
4.根據權利要求1所述一種基于CPAD的雙調制頻率的像素結構,其特征在于:源級跟隨器和FD節點相連,從而獲得穩定的信號。
5.根據權利要求1所述一種基于CPAD的雙調制頻率的像素結構,其特征在于:像素選擇晶體管可以選擇要讀取的像素信號。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于天津大學青島海洋技術研究院,未經天津大學青島海洋技術研究院許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811229490.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:巖層分布預測方法和裝置
- 下一篇:一種辨別指南針精度的控制系統及其方法與終端





