[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板有效
| 申請號: | 201811228973.5 | 申請日: | 2018-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN109524420B | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發明(設計)人: | 李海龍;劉亮亮 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/84;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 牛南輝;劉薇 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 | ||
本發明涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。所述陣列基板包括:基板;位于所述基板上的發光器件和與所述發光器件相鄰的臺座;以及位于所述臺座上的布線。所述臺座的頂部具有至少一個突起。
技術領域
本發明的實施例涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。
背景技術
隨著顯示技術的發展,主動矩陣式有機發光二極管(Active-Matrix OrganicLight Emitting Diode,簡稱AMOLED)顯示裝置的技術日見成熟,已經越來越多地應用在各個顯示領域。
發明內容
本發明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板,能夠改善陣列基板與觸控基板之間的接觸不良。
在本發明的一方面中,提供了一種陣列基板。所述陣列基板包括:基板;位于所述基板上的發光器件和與所述發光器件相鄰的臺座;以及位于所述臺座上的布線。所述臺座的頂部具有至少一個突起。
在本發明的實施例中,所述臺座和所述突起一體形成。
在本發明的實施例中,所述臺座和所述突起的材料包括聚酰亞胺。
在本發明的實施例中,所述突起的橫截面形狀包括方形或圓形。
在本發明的實施例中,所述臺座的橫截面形狀包括方形。
在本發明的實施例中,所述突起的橫截面形狀包括方形,所述突起的橫截面的邊長為15~25μm,相鄰所述突起之間的距離為10~15μm,所述臺座的橫截面的邊長為115~125μm。
在本發明的實施例中,所述陣列基板還包括:位于所述基板上的像素定義層;以及位于所述像素定義層上的像素支撐部。所述發光器件位于所述像素定義層之間,所述發光器件包括位于所述基板上的陽極、位于所述陽極上的發光層和位于所述發光層上的陰極。
在本發明的實施例中,所述布線的頂表面與所述像素支撐部的頂表面相比更遠離所述基板。
在本發明的一方面中,還提供了一種顯示面板。所述顯示面板包括如上所述的陣列基板和位于所述陣列基板上的觸控基板。所述觸控基板包括:蓋板;位于所述蓋板靠近所述陣列基板的一側的觸控傳感器層;以及位于所述觸控傳感器層靠近所述陣列基板的一側的絕緣層。所述陣列基板的所述布線與所述觸控傳感器層接觸。
在本發明的一方面中,還提供了一種制備陣列基板的方法。所述方法包括:提供基板;在所述基板上形成發光器件和與所述發光器件相鄰的臺座;以及在所述臺座上形成布線。所述臺座的頂部具有至少一個突起。
在本發明的實施例中,形成所述臺座和所述突起包括:在所述基板上形成光敏前體材料;以及使用半色調掩模構圖所述光敏前體材料以形成所述臺座和所述突起。
在本發明的實施例中,所述光敏前體材料包括聚酰亞胺。
在本發明的實施例中,所述方法還包括在所述基板上形成像素定義層以使所述發光器件位于所述像素定義層之間。
在本發明的實施例中,所述發光器件包括位于所述基板上的陽極、位于所述陽極上的發光層和位于所述發光層上的陰極。所述陽極和所述布線同層設置。
在本發明的實施例中,所述方法還包括在所述像素定義層上形成像素支撐部。所述布線的頂表面與所述像素支撐部的頂表面相比更遠離所述基板。
適應性的進一步的方面和范圍從本文中提供的描述變得明顯。應當理解,本申請的各個方面可以單獨或者與一個或多個其他方面組合實施。還應當理解,本文中的描述和特定實施例旨在僅說明的目的并不旨在限制本申請的范圍。
附圖說明
本文中描述的附圖用于僅對所選擇的實施例的說明的目的,并不是所有可能的實施方式,并且不旨在限制本申請的范圍,其中:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





