[發明專利]一種制備高透光率氧化鎵薄膜的方法

在審

• 申請號: 201811228392.1
• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN109136859A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 李炳生;宋東雨;李麗;李林;余立冬
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C23C14/28
• 分類號: C23C14/28;C23C14/02;C23C14/54;C23C14/08
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1.一種制備高透光率氧化鎵薄膜的方法，其特征在于所述方法步驟如下：

步驟一、清洗襯底；步驟二、制備緩沖層，制備方法包括：磁控濺射沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、等離子體增強的化學氣相沉積、光輔助或等離子體輔助的有機金屬化學氣相沉積、電子束蒸發等方法來實現。

其中脈沖激光沉積制備緩沖層的具體步驟如下：(1)、把氧化鎵靶材安裝在脈沖激光沉積靶上，然后把步驟一清洗好的襯底放置于真空室的控制臺上，開始抽真空至一定真空度，并加熱襯底至一定溫度，通入濺射氣體，使得真空室的壓力保持在一定壓強。(2)、用擋板遮住襯底，在一定功率的脈沖激光條件下進行預沉積一定時間，打開襯底擋板，在一定功率的脈沖激光條件下進行正式沉積一定時間，得到一定厚度的氧化鎵薄膜緩沖層；

步驟三、制備氧化鎵薄膜的方法包括：磁控濺射沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、等離子體增強的化學氣相沉積、光輔助或等離子體輔助的有機金屬化學氣相沉積，電子束蒸發等方法來實現。其中脈沖激光沉積氧化鎵薄膜的具體步驟如下：(1)、用擋板遮住襯底，將步驟二得到的氧化鎵薄膜緩沖層加熱至一定溫度，加熱過程中，一直保持濺射氣體的通入，使得真空室的壓力保持在一定壓強。(2)、打開襯底擋板，在一定功率的脈沖激光條件下進行沉積一定時間，得到一定厚度高透光率的氧化鎵薄膜。

2.根據權利要求1所述的增加緩沖層制備高透光率氧化鎵薄膜的方法，其清洗襯底的方法為：依次用乙醇超聲清洗5分鐘、丙酮超聲清洗5分鐘、去離子水清洗5分鐘。

3.根據權利要求1所述的制備高透光率氧化鎵薄膜的方法為磁控濺射沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、等離子體增強的化學氣相沉積、光輔助或等離子體輔助的有機金屬化學氣相沉積等方法來實現。

4.根據權利要求1所述的增加緩沖層制備高透光率氧化鎵薄膜的方法，其特征在于步驟二中所述的溫度為一定溫度。

5.根據權利要求1所述的增加緩沖層制備高透光率氧化鎵薄膜的方法，其特征在于步驟二中所述的真空室的壓力保持在一定壓強。

6.根據權利要求1所述的增加緩沖層制備高透光率氧化鎵薄膜的方法，其特征在于步驟二中所述的濺射氣體為氧氣。

7.根據權利要求1所述的增加緩沖層制備高透光率氧化鎵薄膜的方法，其特征在于步驟三中所述的在緩沖層加熱至一定溫度進行脈沖激光沉積氧化鎵薄膜。

8.根據權利要求1所述的增加緩沖層制備高透光率氧化鎵薄膜的方法，其特征在于步驟三中所述的真空室的壓力保持在一定壓強。

9.根據權利要求1所述的增加緩沖層制備高透光率氧化鎵薄膜的方法，其特征在于步驟三中所述的在一定功率的脈沖激光條件下進行沉積一定時間。