[發明專利]一種NAND閃存數據管理方法和裝置

有效

• 申請號: 201811215796.7
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN109358815B
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 呂玉彬;戚勇
• 申請（專利權）人: 鄭州云海信息技術有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

本申請公開了一種NAND閃存數據管理的方法和裝置，該方法包括：每隔預設周期觸發目標NAND閃存數據的讀操作，預設周期是根據目標NAND閃存數據長時間未進行讀操作從第一次讀操作執行后數據比特錯誤率由高下降至最低所經過的時間確定的；響應于目標NAND閃存數據的讀操作，在預設周期內讀取目標NAND閃存各個plane中的各個block?？梢?，基于讀取操作后目標NAND閃存數據的數據BER變化規律得到的預設周期，定時觸發完成對目標NAND閃存數據的讀操作，有效減小目標NAND閃存數據讀操作時的數據BER，不需要增加其他用于錯誤檢查和糾正技術手段，從而減小糾正開銷、提高讀取性能。

技術領域

本申請涉及計算機技術領域，尤其涉及一種NAND閃存數據管理的方法和裝置。

背景技術

隨著信息科學技術的發展，在實際應用中經常使用固態硬盤(英文：Solid StateDrives，縮寫：SSD)，在進行SSD中NAND閃存的存儲周期內，各種各樣的因素都可能使得數據發生錯誤，因此，SSD增加了錯誤檢查和糾正(英文：Error Checking and Correcting，縮寫：ECC)功能，用于在讀取NAND閃存數據，檢測數據的正確性并糾正部分錯誤，以降低數據比特錯誤率(英文：Bit Error Ratio，縮寫：BER)。

基于對SSD中NAND閃存數據的研究可知，當進行一次NAND閃存數據讀操作后，NAND閃存數據的數據BER會逐漸降低，一段時間后再逐漸升高，也就是說，若長時間不進行NAND閃存數據讀操作，NAND閃存數據的數據BER會逐漸升高，當后續再次進行NAND閃存數據讀操作時，數據BER較高。

發明人經過研究發現，若長時間不讀取NAND閃存數據，當再次讀取NAND閃存數據時，僅僅使用ECC技術進行數據錯誤檢查和糾正，已經無法有效實現降低數據BER的目的，需要采用其他技術手段，增加錯誤檢查和糾正開銷，降低NAND閃存數據讀取性能。

發明內容

本申請所要解決的技術問題是，提供一種NAND閃存數據管理的方法和裝置，能夠有效減小進行目標NAND閃存數據讀操作時的數據BER，不需要增加其他用于錯誤檢查和糾正技術手段，從而減小錯誤檢查和糾正開銷，提高NAND閃存數據讀取性能。

第一方面，本申請實施例提供了一種NAND閃存數據管理的方法，該方法包括：

每隔預設周期觸發目標NAND閃存數據的讀操作，所述預設周期是根據所述目標NAND閃存數據長時間未進行讀操作從第一次讀操作執行后數據比特錯誤率由高下降至最低所經過的時間確定的；

響應于所述目標NAND閃存數據的讀操作，在所述預設周期內讀取所述目標NAND閃存各個平面plane中的各個塊block。

可選的，所述響應于所述目標NAND閃存數據的讀操作，在所述預設周期內讀取所述目標NAND閃存各個平面plane中的各個塊block，包括：

響應于所述目標NAND閃存數據的讀操作，并行執行所述目標NAND閃存各個plane的讀操作；

對于每個plane，在預設周期內串行讀取plane中各個block。

可選的，所述對于每個plane，在預設周期內串行讀取plane中各個block，具體為：

對于每個plane，在預設周期內串行讀取plane中各個block對應的預設頁page，所述預設page是指每個block中各個page讀操作執行后數據比特錯誤率下降最多的page。

可選的，所述目標NAND閃存數據的讀操作具體為讀取所述目標NAND閃存數據至緩存的讀操作。

可選的，所述plane中各個block之間的間隔讀取時間相同，且所述各個block之間的間隔讀取時間相加小于等于所述預設周期。