[發明專利]一種電平轉換電路在審
| 申請號： | 201811213793.X | 申請日： | 2018-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN109039327A | 公開（公告）日： | 2018-12-18 |
| 發明（設計）人： | 何永強;程劍濤;杜黎明;羅旭程;張艷萍 | 申請（專利權）人： | 上海艾為電子技術股份有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/0185 | 分類號： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李婷婷;王寶筠 |
| 地址： | 200233 上海市徐匯*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電平轉換電路 阻抗 高速傳輸性能 傳輸能力 電壓變化 電阻恒定 限流作用 影響電平 轉換電路 電容 引入 申請 | ||
1.一種電平轉換電路，其特征在于，包括：
第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，以及第一阻抗和第二阻抗；
其中，所述第一NMOS管的柵極作為所述電平轉換電路的第一輸入端；
所述第二NMOS管的柵極作為所述電平轉換電路的第二輸入端；
所述第一PMOS管的柵極、所述第二NMOS管的漏極與所述第二PMOS管的漏極共接，作為所述電平轉換電路的第一輸出端；
所述第二PMOS管的柵極、所述第一NMOS管的漏極與所述第一PMOS管的漏極共接，作為所述電平轉換電路的第二輸出端；
所述第一PMOS管的源極以及所述第一阻抗的第一端相連；
所述第二PMOS管的源極以及所述第二阻抗的第一端相連；
所述第一阻抗的第二端與所述第二阻抗的第二端共接，連接至電源；
其中，所述第一阻抗和所述第二阻抗為恒定阻抗，所述恒定阻抗為不隨電流變化的阻抗。
2.根據權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，所述第一阻抗和所述第二阻抗均為不隨通過其電流的大小而變化的電阻，且所述第一阻抗和所述第二阻抗的阻值相同。
3.根據權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，
所述第一NMOS管的襯底端與其源極相連并接地；
所述第二NMOS管的襯底端與其源極相連并接地。
4.根據權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，
所述第一PMOS管的襯底端與其源極相連；
所述第二PMOS管的襯底端與其源極相連。
5.根據權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，所述第一NMOS管與所述第二NMOS管的尺寸大小相同；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的尺寸大小相同。
6.一種電平轉換電路，其特征在于，包括：
第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管，以及第一阻抗和第二阻抗；
其中，所述第一PMOS管的柵極作為所述電平轉換電路的第一輸入端；
所述第二PMOS管的柵極作為所述電平轉換電路的第二輸入端；
所述第一PMOS管的源極、所述第二PMOS管的源極均與電源相連；
所述第一NMOS管的柵極、所述第二PMOS管的漏極與所述第二NMOS管的漏極共接，作為所述電平轉換電路的第一輸出端；
所述第二NMOS管的柵極、所述第一PMOS管的漏極與所述第一NMOS管的漏極共接，作為所述電平轉換電路的第二輸出端；
所述第一NMOS管的源極與所述第一阻抗的一端相連；
所述第一阻抗的另一端接地；
所述第二NMOS管的源極與所述第二阻抗的一端相連；
所述第二阻抗的另一端接地；
其中，所述第一阻抗和所述第二阻抗為恒定阻抗，所述恒定阻抗為不隨電流變化的阻抗。
7.根據權利要求6所述的電平轉換電路，其特征在于，所述第一阻抗和所述第二阻抗均為不隨通過其電流的大小而變化的電阻。
8.根據權利要求6所述的電平轉換電路，其特征在于，
所述第一PMOS管的襯底端與其源極相連；
所述第二PMOS管的襯底端與其源極相連。
9.根據權利要求8所述的電平轉換電路，其特征在于，
所述第一NMOS管的襯底端與其源極相連；
所述第二NMOS管的襯底端與其源極相連。
10.根據權利要求8所述的電平轉換電路，其特征在于，
所述第一NMOS管的襯底端與所述第二NMOS管的襯底端均接地。
11.根據權利要求6所述的電平轉換電路，其特征在于，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的尺寸大小相同；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的尺寸大小相同。
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