[發(fā)明專利]一種硅片的鈍化方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811212330.1
• 申請(qǐng)日: 2018-10-17
• 公開（公告）號(hào): CN109524502A
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李超;黃明;孟少東;湯潔;徐昆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江西展宇新能源股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 趙青朵

1.一種硅片的鈍化方法，包括：

將經(jīng)過(guò)刻蝕的硅片置于耐高壓容器中，通入氧氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w至容器內(nèi)氣壓為15～50個(gè)大氣壓，并升溫至350～450℃反應(yīng)，得到表面鈍化的硅片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈍化方法，其特征在于，所述刻蝕的硅片為刻蝕的黑硅片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈍化方法，其特征在于，所述氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w中氮?dú)馀c氧氣的體積為(1～4)∶1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈍化方法，其特征在于，所述氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w中氮?dú)馀c氧氣的體積為(2～3)∶1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈍化方法，其特征在于，所述容器的氣壓為20～40個(gè)大氣壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈍化方法，其特征在于，所述反應(yīng)的溫度為400～425℃。

7.一種硅電池的制備方法，包括：按照權(quán)利要求1～6任意一項(xiàng)所述的硅片的鈍化方法鈍化得到表面鈍化的硅片；然后對(duì)表面鈍化的硅片進(jìn)行PECVD鍍膜，正反面電極進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，燒結(jié)，得到硅電池。