[發明專利]一種CuS/ZnS復合導電薄膜的制備方法有效
| 申請號: | 201811211233.0 | 申請日: | 2018-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN110739103B | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發明(設計)人: | 沈麗堯 | 申請(專利權)人: | 嘉興學院 |
| 主分類號: | H01B13/00 | 分類號: | H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司: | 杭州知管通專利代理事務所(普通合伙) 33288 | 代理人: | 占偉彬 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉興市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 cus zns 復合 導電 薄膜 制備 方法 | ||
本發明提供了一種CuS/ZnS復合導電薄膜的制備方法,包括以下步驟:S1.制備多層花狀ZnS(H2NCH2CH2NH2)0.5;S2.制備ZnS(H2NCH2CH2NH2)0.5溶液;S3.把固定有PI基材的玻璃夾具垂直放入上述溶液中,將夾具上端與機械攪拌相連,在ZnS(H2NCH2CH2NH2)0.5溶液中滴加Cu(N03)2溶液;S4.最后調節反應體系的溫度和壓力反應,待反應結束后,取出清洗,烘干得到單面附著CuS和ZnS的透明導電薄膜。本發明提供一種CuS/ZnS復合導電薄膜,具有低電阻率和高透光率,在太陽能電池和有機發光器件等領域具有廣闊的應用前景。
技術領域
本發明涉及導電材料領域,具體涉及一種CuS/ZnS復合導電薄膜的制備方法。
背景技術
隨著微電子材料的飛速發展,以透明導電膜為基礎的觸摸顯示技術得到了廣泛應用。其中的透明導電膜大多以石英、玻璃等硬質材料為襯底,以氧化銦錫(ITO)為導電材料,盡管具有透光率高、導電性好等特點,但其襯底脆性大、不易彎曲,且采用儲量稀少的銦為原料,大大限制了其應用的領域和范圍。因此,研發柔性的、不含銦的透明導電膜,并將其用于柔性電子顯示技術、薄膜太陽能電池以及可穿戴電子器件等領域,具有重要的現實意義。作為ITO的替代材料,CuS薄膜具有光電性能優良、價格低廉、儲量豐富等顯著優勢,近年來引起了人們的極大關注;具有低電阻率及高透光率的ZnS基透明導電薄膜,在液晶顯示器,太陽能電池和有機發光器件等領域具有廣闊的應用前景。
發明內容
要解決的技術問題:本發明的目的是提供一種CuS/ZnS復合導電薄膜,具有低電阻率和高透光率,在太陽能電池和有機發光器件等領域具有廣闊的應用前景。
技術方案:一種CuS/ZnS復合導電薄膜的制備方法,包括以下步驟:
S1.將醋酸鋅和硫脲加入至混合溶劑中,攪拌20-40min后,將混合溶液在120-140℃,壓力為2-3MPa下反應16-22h,得到沉淀物將所得到的的白色沉淀離心分離,分別水洗,醇洗各兩次,然后在60℃下烘干,即得到了多層花狀ZnS(H2NCH2CH2NH2)0.5;
S2.將步驟S1制備得到ZnS(H2NCH2CH2NH2)0.5加入去離子水中,得到濃度為0.1-0.2mol/L的ZnS(H2NCH2CH2NH2)0.5溶液;
S3.把固定有PI基材的玻璃夾具垂直放入上述溶液中,將夾具上端與機械攪拌相連,在ZnS(H2NCH2CH2NH2)0.5溶液中滴加Cu(N03)2溶液,在120-200r/min下反應20-40min;
S4.最后調節反應體系的溫度至120-160℃,壓力為2-4Mpa下,反應2-8h,待反應結束后,取出清洗,烘干得到單面附著CuS和ZnS的透明導電薄膜。
進一步的,所述步驟S1中醋酸鋅的濃度為0.1-0.2mol/L。
進一步的,所述步驟S1中醋酸鋅和硫脲的摩爾比為1:2,所述混合溶液為乙二胺和去離子水的混合溶液,其體積比為3:6-10。
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