[發明專利]薄膜晶體管陣列基板和具有其的有機發光顯示裝置有效
| 申請號: | 201811202004.2 | 申請日: | 2018-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN109727996B | 公開(公告)日: | 2023-07-11 |
| 發明(設計)人: | 許真僖 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H10K59/121;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京市集佳律師事務所 16095 | 代理人: | 譚天 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 具有 有機 發光 顯示裝置 | ||
本發明涉及薄膜晶體管陣列基板和具有其的有機發光顯示裝置。本發明的一個實施方案提供一種薄膜晶體管陣列基板,其具有第一薄膜晶體管、與第一薄膜晶體管的柵電極連接的第二薄膜晶體管和電容器、以及與電容器連接的第三薄膜晶體管,其中,薄膜晶體管陣列基板包括:設置在覆蓋第三薄膜晶體管的有源層的第一柵極絕緣膜上的第一電容器電極;設置在覆蓋第一電容器電極的第二柵極絕緣膜上的第二薄膜晶體管的有源層;設置在覆蓋第二薄膜晶體管的有源層的一部分的中間絕緣膜上的第二薄膜晶體管的柵電極;以及設置在中間絕緣膜上的并且與第一電容器電極交疊的電容器的第二電容器電極。
技術領域
本發明涉及具有至少兩個薄膜晶體管和與晶體管中的至少一個連接的電容器的薄膜晶體管陣列基板,以及具有該薄膜晶體管陣列基板的有機發光顯示裝置。
背景技術
顯示裝置應用于各種電子裝置,例如電視(TV)、便攜式電話、膝上型計算機和平板電腦等。因此,為了減小顯示裝置的厚度、重量和功耗,已經作出了很大努力。
顯示裝置的代表性示例包括液晶顯示裝置(LCD)、等離子體顯示裝置(PDP)、場發射顯示裝置(FED)、電致發光顯示裝置(ELD)、電潤濕顯示裝置(EWD)和有機發光顯示裝置(OLED)等。
通常,這些顯示裝置包括設置在一對基板之間的偏振材料或發光材料。這里,一對基板中的一個基板可以是在顯示圖像的顯示區域中限定了對應于多個像素的多個像素區域并且驅動相應像素的薄膜晶體管陣列基板。
例如,對于有機發光顯示裝置,薄膜晶體管陣列基板可以包括:向相應像素區域中的有機發光裝置提供驅動電流的驅動薄膜晶體管;提供對應于有機發光裝置的亮度的數據信號的開關薄膜晶體管;以及通過數據信號來充電的電容器。此外,有機發光顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板還可以包括用于補償驅動薄膜晶體管的閾值電壓的采樣薄膜晶體管。
順便一提,為了使顯示出來的圖像更加清晰,要求顯示裝置具備較高的分辨率,并且每個像素區域的尺寸因而變得更小。更具體地,對于三維虛擬現實裝置(3D?VR),每個像素區域的尺寸甚至可以減小到正常顯示裝置的1/12。
隨著每個像素區域的尺寸的變小,分配給對應于像素區域中的每一個的薄膜晶體管和電容器的區域同樣減小,從而導致裝置特性劣化。
例如,對于采樣薄膜晶體管,可以減小有源層的長度,并且因此,可以更加頻繁的出現大于閾值的漏電流。采樣薄膜晶體管的這種漏電流可能導致有機發光裝置故障以及模糊和異常亮度。因此,可能使顯示質量劣化。
此外,對于電容器,電容器的電容由于尺寸的減小而降低。因此,在各個幀期間,無法向驅動薄膜晶體管穩定地提供驅動電流。這樣的驅動電流的不穩定供應會導致有機發光二極管的亮度降低,并且會使顯示質量劣化。
發明內容
本發明的目的在于提供一種能夠防止對應于相應像素區域的元件的特性因尺寸減小而劣化的薄膜晶體管陣列基板以及具有該薄膜晶體管陣列基板的有機發光顯示裝置。
本發明的目的不限于上述目的,并且可以基于以下描述理解本發明的其他目的和優點,并且可以基于本發明的實施方案更加清楚地理解這些其他目的和優點。另外,明顯的是,本發明的目的和優點可以通過權利要求中描述的手段及其組合來實現。
本發明的一個實施方案提供一種薄膜晶體管陣列基板,其具有第一薄膜晶體管、與第一薄膜晶體管的柵電極連接的第二薄膜晶體管和電容器、以及與電容器連接的第三薄膜晶體管,其中,薄膜晶體管陣列基板包括:設置在覆蓋第三薄膜晶體管的有源層的第一柵極絕緣膜上的第一電容器電極;設置在覆蓋第一電容器電極的第二柵極絕緣膜上的第二薄膜晶體管的有源層;設置在覆蓋第二薄膜晶體管的有源層的一部分的中間絕緣膜上的第二薄膜晶體管的柵電極;以及設置在中間絕緣膜上的并且與第一電容器電極交疊的電容器的第二電容器電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





