[發明專利]薄膜晶體管陣列基板和具有其的有機發光顯示裝置有效
| 申請號: | 201811202004.2 | 申請日: | 2018-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN109727996B | 公開(公告)日: | 2023-07-11 |
| 發明(設計)人: | 許真僖 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H10K59/121;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京市集佳律師事務所 16095 | 代理人: | 譚天 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 具有 有機 發光 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管陣列基板,其具有第一薄膜晶體管、與所述第一薄膜晶體管的柵電極直接連接的第二薄膜晶體管和電容器、以及與所述電容器連接的第三薄膜晶體管,其中,所述薄膜晶體管陣列基板包括:
設置在覆蓋所述第三薄膜晶體管的有源層的第一柵極絕緣膜上的第一電容器電極;
設置在覆蓋所述第一電容器電極的第二柵極絕緣膜上的所述第二薄膜晶體管的有源層;
設置在覆蓋所述第二薄膜晶體管的有源層的一部分的中間絕緣膜上的所述第二薄膜晶體管的柵電極;以及
設置在所述中間絕緣膜上的并且與所述第一電容器電極交疊的所述電容器的第二電容器電極。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板,還包括:設置在所述第一柵極絕緣膜上的并且與所述第三薄膜晶體管的有源層的一部分交疊的所述第三薄膜晶體管的柵電極,其中,所述第一電容器電極與所述第三薄膜晶體管的所述柵電極間隔開。
3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板,還包括電容器孔,所述電容器孔對應于所述第一電容器電極和所述第二電容器電極彼此交疊的區域的一部分并且穿過所述第二柵極絕緣膜。
4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板,其中,所述第一電容器電極和所述第二電容器電極中的一者與所述第一薄膜晶體管的柵電極連接。
5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板,其中,所述第一薄膜晶體管的有源層設置在與所述第三薄膜晶體管的所述有源層相同的層上;以及所述第一薄膜晶體管的所述柵電極設置在所述第一柵極絕緣膜上并且與所述第一電容器電極連接。
6.根據權利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板,其中,所述第一薄膜晶體管的有源層設置在所述第二柵極絕緣膜上,以及所述第一薄膜晶體管的所述柵電極設置在進一步覆蓋所述第一薄膜晶體管的有源層的一部分的所述中間絕緣膜上并且與所述第二電容器電極連接。
7.根據權利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板,其中,所述第三薄膜晶體管的所述有源層由多晶硅半導體材料制成,以及所述第二薄膜晶體管的所述有源層由氧化物半導體材料制成。
8.一種有機發光顯示裝置,其具有對應于相應的像素區域的有機發光裝置、向所述有機發光裝置提供驅動電流的第一薄膜晶體管、與所述第一薄膜晶體管的柵電極直接連接的電容器和第二薄膜晶體管、以及與所述電容器連接的第三薄膜晶體管,該有機發光顯示裝置包括:
設置在基板上的所述第三薄膜晶體管的有源層;
覆蓋所述第三薄膜晶體管的所述有源層的第一柵極絕緣膜;
設置在所述第一柵極絕緣膜上的并且與所述第三薄膜晶體管的有源層的一部分交疊的所述第三薄膜晶體管的柵電極;
設置在所述第一柵極絕緣膜上的并且與所述第三薄膜晶體管的所述柵電極間隔開的所述電容器的第一電容器電極;
覆蓋所述第三薄膜晶體管的所述柵電極和所述電容器的所述第一電容器電極的第二柵極絕緣膜;
設置在所述第二柵極絕膜上的所述第二薄膜晶體管的有源層;
設置在覆蓋所述第二薄膜晶體管的有源層的一部分的中間絕緣膜上的所述第二薄膜晶體管的柵電極;以及
設置在所述中間絕緣膜上的并且與所述第一電容器電極交疊的所述電容器的第二電容器電極。
9.根據權利要求8所述的有機發光顯示裝置,還包括電容器孔,所述電容器孔對應于所述第一電容器電極和所述第二電容器電極彼此交疊的區域的一部分并且穿過所述第二柵極絕緣膜。
10.根據權利要求8所述的有機發光顯示裝置,其中,所述第一薄膜晶體管的所述有源層設置在與所述第三薄膜晶體管的所述有源層相同的層上;以及所述第一薄膜晶體管的所述柵電極設置在所述第一柵極絕緣膜上并且與所述第一電容器電極連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





