[發明專利]用于檢測光掩模和裸片中的缺陷的檢查設備及檢查方法

在審

• 申請號: 201811197090.2
• 申請日: 2018-10-15
• 公開（公告）號: CN109752390A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 李剛源;閔徹基;樸鍾主;宋弦昔
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G01N21/95
• 分類號: G01N21/95;G01N21/956
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;韓芳

本發明提供了一種用于檢測光掩模和裸片中的缺陷的檢查設備及檢查方法，該缺陷檢查設備包括被配置為從設計布局數據產生第一參考圖像和第二參考圖像的參考圖像產生器。圖像檢查器被配置為獲得光掩模的第一檢查區域的第一檢查圖像和光掩模的第二檢查區域的第二檢查圖像。操作處理器被配置為通過將第一檢查圖像與第一參考圖像進行比較來提取第一坐標偏移，并且通過將第二檢查圖像與第二參考圖像進行比較來提取第二坐標偏移。

本申請要求于2017年11月3日在韓國知識產權局提交的第10-2017-0146122號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。

技術領域

本發明構思涉及缺陷檢測，更具體地，涉及一種用于檢測光掩模和裸片中的缺陷的檢查設備。

背景技術

設計規則檢查是這樣的過程：使用自動硬件以通過該過程驗證光掩?；蚣呻娐返奈锢聿季质欠駶M足被稱為“設計規則”的各種約束。隨著微芯片變得更加高度集成且其上的電路特征的尺寸持續縮小，設計規則指定了更嚴格的約束。另外，隨著微芯片變得更加高度集成，用于使半導體裝置圖案化的光掩模圖案的尺寸也已減小。這樣，隨著掩模圖案的尺寸減小，執行設計規則檢查所需的時間已增加。

發明內容

一種缺陷檢查設備包括被配置為從設計布局數據產生第一參考圖像和第二參考圖像的參考圖像產生器。圖像檢查器被配置為獲得光掩模的第一檢查區域的第一檢查圖像和光掩模的第二檢查區域的第二檢查圖像。操作處理器被配置為通過將第一檢查圖像與第一參考圖像進行比較來提取第一坐標偏移，并且通過將第二檢查圖像與第二參考圖像進行比較來提取第二坐標偏移。

一種檢查在檢查對象中的缺陷的方法包括從與檢查對象有關的設計布局數據產生第一參考圖像和第二參考圖像。獲得檢查對象的第一檢查圖像和第二檢查圖像。通過將第一檢查圖像與第一參考圖像進行比較來提取第一坐標偏移。通過將第二檢查圖像與第二參考圖像進行比較來提取第二坐標偏移。使用第一坐標偏移和第二坐標偏移以裸片對裸片(D2D)的方式將第一檢查圖像與第二檢查圖像進行比較?；诘谝粰z查圖像和第二檢查圖像的比較來確定第二檢查圖像中是否存在缺陷。

一種檢查光掩模的缺陷的方法包括從光掩模的設計布局數據產生第一參考圖像和第二參考圖像。通過將光指向到光掩模上來獲得光掩模的第一檢查區域的第一檢查圖像。通過將光指向到光掩模上來獲得光掩模的第二檢查區域的第二檢查圖像。通過將第一檢查圖像與第一參考圖像進行比較來提取第一坐標偏移。通過將第二檢查圖像與第二參考圖像進行比較來提取第二坐標偏移。第一參考圖像和第二參考圖像均包括比第一檢查圖像和第二檢查圖像的像素小的像素。

附圖說明

當結合附圖考慮時，隨著本公開通過參照下面的詳細描述變得被更好理解，對本公開的更完全的理解以及本公開的許多附隨方面將容易獲得，其中：

圖1是示出根據本公開的示例性實施例的缺陷檢查設備的示意圖；

圖2是示出根據本公開的示例性實施例的檢查缺陷的方法的流程圖；

圖3是示出根據本公開的示例性實施例的通過缺陷檢查設備來檢查的光掩模的檢查區域的圖；

圖4A、圖4B、圖5A和圖5B是示出根據本公開的示例性實施例的檢查缺陷的方法的操作的圖；以及

圖6是示出本公開的示例性實施例的效果的曲線圖。

具體實施方式

為了清楚起見，在描述本公開的在附圖中示出的示例性實施例時，采用特定術語。然而，本公開不意圖局限于如此選擇的特定術語，并且將理解的是每個特定元件包括以相似方式操作的所有技術等同物。

圖1是示出根據本公開的示例性實施例的缺陷檢查設備的示意圖。