[發明專利]基于n型摻雜氧化鎵倒裝結構的深紫外LED垂直芯片在審
| 申請號： | 201811194480.4 | 申請日： | 2018-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN109103309A | 公開（公告）日： | 2018-12-28 |
| 發明（設計）人： | 陳景文;張毅;單茂誠;譚波;龍翰凌;張爽 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學鄂州工業技術研究院;華中科技大學 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570 | 代理人： | 徐松 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 側面 氮化鋁鎵緩沖層 多量子阱結構層 深紫外LED 側面設置 垂直芯片 氮化鋁鎵 倒裝結構 材料層 氧化鎵 電子阻擋層 芯片制造技術 半導體LED 襯底材料 技術效果 制作材料 襯底 制備 剝離 | ||
1.一種基于n型摻雜氧化鎵倒裝結構的深紫外LED垂直芯片，其特征在于，所述基于n型摻雜氧化鎵倒裝結構的深紫外LED垂直芯片包括：
P型薄膜層，所述P型薄膜層的制作材料是p型氮化鋁鎵材料；
電子阻擋層，所述電子阻擋層設置有第一側面和第二側面，所述電子阻擋層通過所述第一側面設置在所述P型薄膜層上，且所述第一側面位于所述第二側面和所述P型薄膜層之間；
多量子阱結構層，所述多量子阱結構層設置有第三側面和第四側面，所述多量子阱結構層通過所述第三側面設置在所述第二側面上，且所述第三側面位于所述第四側面和所述第二側面之間；
氮化鋁鎵材料層，所述氮化鋁鎵材料層設置有第五側面和第六側面，所述氮化鋁鎵材料層通過所述第五側面設置在所述第四側面上，且所述第五側面位于所述第六側面和所述第四側面之間；
氮化鋁鎵緩沖層，所述氮化鋁鎵緩沖層設置有第七側面和第八側面，所述氮化鋁鎵緩沖層通過所述第七側面設置在所述第六側面上，且所述第七側面位于所述第八側面和所述第六側面之間；
氧化鎵襯底，所述氧化鎵襯底設置有第九側面和第十側面，所述氧化鎵襯底通過所述第九側面設置在所述第八側面上，且所述第九側面位于所述第十側面和所述第八側面之間。
2.如權利要求1所述的基于n型摻雜氧化鎵倒裝結構的深紫外LED垂直芯片，其特征在于：
所述P型薄膜層的制作材料是p型氮化鋁鎵材料。
3.如權利要求2所述的基于n型摻雜氧化鎵倒裝結構的深紫外LED垂直芯片，其特征在于：
所述電子阻擋層的厚度范圍從1nm到100nm。
4.如權利要求3所述的基于n型摻雜氧化鎵倒裝結構的深紫外LED垂直芯片，其特征在于：
所述多量子阱結構層的發光波長不低于260nm。
5.如權利要求4所述的基于n型摻雜氧化鎵倒裝結構的深紫外LED垂直芯片，其特征在于：
所述氮化鋁鎵材料層的制作材料是n型氮化鋁鎵材料。
6.如權利要求5所述的基于n型摻雜氧化鎵倒裝結構的深紫外LED垂直芯片，其特征在于：
所述氮化鋁鎵緩沖層的制作材料是n型氮化鋁鎵材料。
7.如權利要求6所述的基于n型摻雜氧化鎵倒裝結構的深紫外LED垂直芯片，其特征在于：
所述氧化鎵襯底的制作材料是n型氧化鎵材料。
8.如權利要求7所述的基于n型摻雜氧化鎵倒裝結構的深紫外LED垂直芯片，其特征在于：
所述氧化鎵襯底的厚度范圍從100μm到700μm。
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