[發(fā)明專利]內(nèi)含硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)的分布反饋激光器及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811193774.5
• 申請(qǐng)日: 2018-10-15
• 公開（公告）號(hào): CN109217107A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖晨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京郵電大學(xué)
• 主分類號(hào): H01S5/125
• 分類號(hào): H01S5/125;H01S5/30
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249
• 代理人: 陳國(guó)強(qiáng)

1.一種內(nèi)含硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)的分布反饋激光器，其特征在于：包括依次向上設(shè)置的石英基板(3)、內(nèi)含硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)的二氧化硅周期光柵(4)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)含硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)的分布反饋激光器，其特征在于：所述內(nèi)含硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)的二氧化硅周期光柵(4)由二氧化硅周期光柵和嵌入該二氧化硅周期光柵中的硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)組成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)含硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)的分布反饋激光器，其特征在于：所述硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)在二氧化硅周期光柵中均勻分布。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)含硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)的分布反饋激光器，其特征在于：所述硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)由硫化銀量子點(diǎn)(1)以及包覆在該硫化銀量子點(diǎn)(1)表面的硫化銀鋅合金殼(2)組成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的內(nèi)含硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)的分布反饋激光器，其特征在于：所述硫化銀鋅合金殼(2)的鋅元素含量從內(nèi)到外逐漸增加。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)含硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)的分布反饋激光器，其特征在于：所述硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)作為光增益介質(zhì)。

7.一種內(nèi)含硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)的分布反饋激光器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)利用高溫?zé)岱纸夥ㄖ苽淞蚧y量子點(diǎn)；

(2)利用連續(xù)離子層吸附反應(yīng)法，通過逐漸減小銀離子前軀體的注入速度同時(shí)增加鋅離子前軀體的注入速度，在硫化銀量子點(diǎn)表面包覆鋅元素含量從內(nèi)到外逐漸增加的硫化銀鋅合金殼，獲得硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)；

(3)將步驟(2)得到的硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)分散于甲苯中，再將硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)的甲苯分散液與全氫聚硅氮烷混合，然后旋涂到石英基板上來獲得內(nèi)含量子點(diǎn)的二氧化硅膜；

(4)利用反應(yīng)離子刻蝕法將內(nèi)含硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)的二氧化硅膜刻蝕成內(nèi)含硫化銀/硫化銀鋅核殼量子點(diǎn)的二氧化硅周期光柵。