[發明專利]基板對準裝置、基板處理裝置和基板處理方法有效
| 申請號: | 201811191568.0 | 申請日: | 2018-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN109659265B | 公開(公告)日: | 2023-08-04 |
| 發明(設計)人: | 嚴基象;崔哲珉;洪南基 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/677;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 韓國忠淸南道天安*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 對準 裝置 處理 方法 | ||
公開了一種基板對準裝置、基板處理裝置和使用基板對準裝置的基板處理方法。基板對準裝置和基板處理裝置包括支承板和連接至支承板以對轉基板的位置的多個引導單元。各引導單元包括用于將基板對準到適當位置的對準銷和具有用于支承對準的基板的邊緣區域支承表面的固定體,固定部固定地連接至支承板。對準銷相對于固定部的支承表面繞對準銷的中心軸線為可旋轉的,從而快速地對準基板,并因此防止了通過傳送機械手在多個處理腔室之間傳送的基板脫離或對其他裝置具有負面影響。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2017年10月12日提交韓國工業產權局、申請號為10-2017-0132263的韓國專利申請的優先權和權益,其全部內容通過引用結合在本申請中。
技術領域
本文中描述的本發明構思的實施例涉及基板對準裝置、基板處理裝置和基板處理方法;尤其涉及一種基板對準裝置、基板處理裝置和基板處理方法,其中,用于對準基板的引導單元旋轉以使由與基板的摩擦而引起的磨損最小化,從而增加耐用壽命。
背景技術
執行諸如沉積、光刻、蝕刻和清潔等的各種過程,以制造半導體設備。用于執行一些過程的裝置具有多個腔室。基板在任一個腔室中被處理,然后被傳送到另一個腔室。
例如,用于執行光刻過程的基板處理裝置包括涂覆腔室、烘烤腔室和邊緣曝光腔室等,涂覆腔室用于使用如光刻膠的光敏材料涂覆基板,烘烤腔室用于在使用光敏材料涂覆基板之前或之后加熱或冷卻基板,邊緣曝光腔室用于在基板的邊緣區域上執行曝光過程。基板按預設順序傳送至腔室。
基板必須放置于單元上的預定正確位置,該單元在腔室中支承基板。當基板在未對準的狀態下被處理時,很可能發生工藝失敗。例如,當基板的邊緣區域在基板未對準的情況下被處理時,特定的化學制品或清洗溶液可能無意地影響基板的中央部,并因此工藝輸出的質量可能不滿足參考值。在一些情況下,暴露于化學制品或清洗溶液的基板的中央部和邊緣可能會受損。
因此,在基板在傳送單元上以未對準狀態傳送或基板未處于在腔室內支承基板的單元上的適當位置的情況下,基板必須對準。
通常,基板通過多個引導單元來對準。為了基板的對準,多個引導單元以不變的間隔排布在預設的對準范圍中。當對準時,基板放置在引導單元上,以便位于引導單元之間。基板自由下落,并坐落于由引導單元限定的空間中(即,在對準范圍中),且在預期的正確位置上對準。
如圖1所示,相關技術中的用于對準基板W的引導單元G包括傾斜部S和主體V,傾斜部S與基板W的斜面(bevel)接觸以引導基板W朝向對準范圍的中央,主體V從傾斜部S向下延伸,并位于垂直于基板W以防止基板W偏離引導單元G。基板W所在的支承表面R設置在主體V的下端部上。為了使基板W位于多個主體V之間,在多個主體V中,彼此面對的兩個主體V之間的距離等于基板W的直徑和預設間隙的總和。
然而,當使用以上配置的引導單元對準基板時,對準基板W會花費很多時間,并且因為主體V的高度大于必要的高度,基板W經常不能下降到支承表面R。
圖2為示出了與上述引導單元不同類型的引導單元的視圖。如圖2所示,在引導單元G僅包括傾斜部S的情況下,直至基板W就位的時間短于上述情況中的時間,但是基板W的邊緣的一部分經常放置在傾斜部S上,從而使得基板W未對準。
發明內容
本發明構思的實施例提供了一種基板對準裝置、基板處理裝置和有效地對準基板的基板處理方法。
本發明構思的實施例提供了一種基板對準裝置、基板處理裝置和基板處理方法,其用于增加基板對準的精度并同時減少在基板對準上花費的時間。
本發明構思的方面不限于此,且本發明構思所屬領域的技術人員將從以下描述中清楚地理解在本文中未提及的任何其他方面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





