[發(fā)明專利]一種寬頻段復(fù)合隔磁片及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811190876.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109243755B | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 顧正青;韓朝慶;計(jì)建榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州世諾新材料科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01F7/00 | 分類號(hào): | H01F7/00;H01F1/147;H01F41/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215200 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 寬頻 復(fù)合 磁片 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種寬頻段復(fù)合隔磁片及其制備方法,寬頻段復(fù)合隔磁片具有納米晶薄片與Y2Co17?xMx薄片多層交替結(jié)構(gòu);主要工藝步驟納米晶薄片制備、Y2Co17?xMx薄片制備、復(fù)合隔磁片制備。本發(fā)明的隔磁片截止頻率高于8GHz,起始磁導(dǎo)率大于20,可以同時(shí)兼容KHz到GHz的無線應(yīng)用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種寬頻段復(fù)合隔磁片及其制備方法,屬于電子元器件新材料新工藝領(lǐng)域。
背景技術(shù)
隨著電子技術(shù)快速發(fā)展,電子產(chǎn)品的功能越來越強(qiáng)大,為了解決電子產(chǎn)品的續(xù)航問題,無線充電近年來作為一種新型的技術(shù),得到了廣泛的關(guān)注。按照工作頻率來分,無線充電可以分為電磁感應(yīng)式(<300KHz)、磁共振式(6.78MHz)和無線電波式(GHz)。
目前商業(yè)化應(yīng)用的為電磁感應(yīng)式,其存在充電距離小的問題。而無線電波式由于其可以不受充電位置的限制,必將成為未來無線充電的主流方式。同時(shí)電子器件工作的頻率越來越高,功率越來越大,集成度越來越高,使得器件之間的電磁干擾愈發(fā)明顯。為了防止無線充電時(shí)其他電子器件受到充電電波的干擾,需要能夠工作在GHz的隔磁片將需要保護(hù)的電子器件隔離起來。
目前來說應(yīng)用于無線充電的隔磁片主要是采用非晶納米晶磁片或者鐵氧體磁片,其截止頻率在MHz,針對(duì)300KHz以下的頻率具有很好的隔磁作用,但是在頻率提高到GHz的時(shí)候,由于超過其截止頻率,將無法實(shí)現(xiàn)隔磁作用。
目前來說能夠在GHz實(shí)現(xiàn)隔磁作用的材料有微波鐵氧體和Ce2Fe17N。前者由于其飽和磁化強(qiáng)度太低,達(dá)到相同的隔磁作用,需要更重的鐵氧體材料,并且其低頻性能很差,后者由于N原子以間隙原子的形式存在于空位中,高溫下很容易釋放出來,高溫穩(wěn)定性很差,并且其制備工藝是采用熔煉、破碎制粉、粉末滲氮的方法,工藝過程復(fù)雜,且只能通過和其他有機(jī)物復(fù)合成片材使用,導(dǎo)致其磁導(dǎo)率只有2-5,使用時(shí)厚度很厚,不利于設(shè)備的輕薄化,小型化。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)上述現(xiàn)有隔磁片存在的使用頻率過低的問題,提供一種寬頻段復(fù)合隔磁片及其制備方法。
一般的2:17相金屬間化合物具有易磁化軸,為單軸各向異性,其截止頻率雖然很高(40G以上),但是由于磁導(dǎo)率很低(小于1),對(duì)弱磁場的響應(yīng)很弱,無法應(yīng)用在隔磁、導(dǎo)磁等微電子領(lǐng)域。本發(fā)明利用Cu、Ni、Mn、Fe替代2:17相中部分過渡族原子,使材料具有易磁化面,呈現(xiàn)出面各向異性,可以通過替代原子的含量調(diào)節(jié)其磁性能,從而使其具有優(yōu)異可控的軟磁性能,并且高溫下不易分解,具有很好的溫度穩(wěn)定性。
本發(fā)明提供了一種寬頻段復(fù)合隔磁片,具有納米晶薄片與Y2Co17-xMx薄片多層交替結(jié)構(gòu),其中M=Cu、Ni、Mn、Fe,0.1≤x≤2;以及層與層之間通過雙面膠粘連。
進(jìn)一步地,本發(fā)明提供的頻段復(fù)合隔磁片截止頻率高于8GHz,起始磁導(dǎo)率大于20。
作為本技術(shù)方案的優(yōu)選方案,所述雙面膠厚度為2-5μm;納米晶薄片單層厚度為15-22μm;Y2Co17-xMx薄片單層厚度為10-25μm。
此外,本發(fā)明還公開了該寬頻段復(fù)合隔磁片的制備方法,步驟如下。
(1)納米晶薄片的制備,采用快淬法,制備納米晶薄片。
(2)Y2Co17-xMx薄片的制備,先將Y、Co、M(M=Cu、Ni、Mn、Fe)按照配比熔煉成母合金,在保護(hù)氣氛下進(jìn)行均化處理,然后通過軋制或者快淬法制備Y2Co17-xMx薄片。
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