[發明專利]一種寬頻段復合隔磁片及其制備方法有效
| 申請號： | 201811190876.1 | 申請日： | 2018-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN109243755B | 公開（公告）日： | 2020-02-21 |
| 發明（設計）人： | 顧正青;韓朝慶;計建榮 | 申請（專利權）人： | 蘇州世諾新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | H01F7/00 | 分類號： | H01F7/00;H01F1/147;H01F41/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215200 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 寬頻 復合 磁片 及其 制備 方法 | ||
1.一種寬頻段復合隔磁片，其特征在于：
具有納米晶薄片與Y2Co17-xMx薄片多層交替結構，其中M=Cu、Ni、Mn、Fe，0.1≤x≤2；
以及層與層之間通過雙面膠粘連；
所述隔磁片截止頻率高于8GHz，起始磁導率大于20；
所述納米晶薄片通過快淬法制的；
所述Y2Co17-xMx薄片通過軋制或者快淬法制的；
所述的多層交替結構中，層數不少于3層，且最外側兩層為Y2Co17-xMx薄片；
所述寬頻段復合隔磁片應用于無線充電接收端。
2.根據權利要求1所述的一種寬頻段復合隔磁片，其特征在于：雙面膠厚度為2-5μm；納米晶薄片單層厚度為15-22μm；Y2Co17-xMx薄片單層厚度為10-25μm。
3.一種如權利要求1-2之一所述寬頻段復合隔磁片的制備方法，其特征在于其步驟包括：
1）納米晶薄片的制備，采用快淬法，制備納米晶薄片；
2）Y2Co17-xMx薄片的制備，先將Y、Co、M（M=Cu、Ni、Mn、Fe）按照配比熔煉成母合金，在保護氣氛下進行均化處理，然后通過軋制或者快淬法制備Y2Co17-xMx薄片；
3）復合隔磁片的制備，將納米晶薄片和Y2Co17-xMx薄片通過超薄雙面膠貼合成多層交替結構，然后碎片。
4.根據權利要求3所述的一種寬頻段復合隔磁片的制備方法，其特征在于：所述保護氣氛為氮氣、氬氣或者真空度大于10-6torr。
5.根據權利要求3所述的一種寬頻段復合隔磁片的制備方法，其特征在于：所述的均化處理溫度為700-1000℃，時間為96-240h。
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