[發明專利]TFT陣列基板及液晶顯示器

在審

• 申請號: 201811188904.6
• 申請日: 2018-10-12
• 公開（公告）號: CN109270720A
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發明（設計）人: 劉弛
• 申請（專利權）人: 劉弛
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提供了一種TFT陣列基板及液晶顯示器，TFT陣列基板，包括：基板；遮光金屬層，其設置于所述基板上；第一絕緣層，其設置于所述遮光金屬層以及所述基板上；半導體層，其設置于所述第一絕緣層上；第二絕緣層，其設置于所述第一絕緣層、所述半導體層以及所述觸控信號線上；柵極金屬層，其設置于所述第二絕緣層上并位于所述遮光金屬層上方；第三絕緣層，其設置于所述第二絕緣層以及所述柵極金屬層上；源漏極金屬層，其設置于所述第三絕緣層上，源漏極金屬層包括觸控信號線、源極金屬以及漏級金屬；第四絕緣層，其設置于所述源漏極金屬層以及所述第三絕緣層上，所述觸控\公共電極層設置于所述第四絕緣層上。

技術領域

本發明涉及液晶顯示領域，具體涉及一種TFT陣列基板及液晶顯示器。

背景技術

現有的內嵌式觸控顯示屏都是在顯示屏內部嵌入觸摸感應電爐，以使得顯示屏更薄。尤其是對于邊緣場開關模式液晶液晶顯示器的TFT陣列基板中嵌入觸摸傳感器功能，將公共電極圖形化處理為間隔設置的觸控感應電極。觸控信號線通常由新增加的一層金屬形成、或者有電極同層材料同工藝制成，然而這兩種方法存在增加光罩數量，且會降低像素單元的開口率。

因此，現有技術存在缺陷，急需改進。

發明內容

本本發明的目的是提供一種TFT陣列基板及液晶顯示器，具有降低TFT陣列基板的厚度，提高像素開口率的有益效果。

本發明實施例提供了一種TFT陣列基板，包括：

基板；

遮光金屬層，其設置于所述基板上；

第一絕緣層，其設置于所述遮光金屬層以及所述基板上；

半導體層，其設置于所述第一絕緣層上；

第二絕緣層，其設置于所述第一絕緣層、所述半導體層；

柵極金屬層，其設置于所述第二絕緣層上并位于所述遮光金屬層上方；

第三絕緣層，其設置于所述第二絕緣層以及所述柵極金屬層上；

源漏極金屬層，其設置于所述第三絕緣層上，源漏極金屬層包括觸控信號線、源極金屬以及漏級金屬；

第四絕緣層，其設置于所述源漏極金屬層以及所述第三絕緣層上，所述觸控\公共電極層設置于所述第四絕緣層上；

觸控\公共電極層，其設置于所述第一絕緣層上方，所述觸控\公共電極層包括多個呈矩形陣列排布的矩形金屬層，所述多個矩形金屬層分別與對應的觸控信號線電連接，所述觸控信號線分別與選通開關連接，所述選通開關分別與觸控芯片的信號輸入引腳以及接地引腳連接，當所述選通開關將所述觸控信號線與接地引腳接通時，該矩形金屬層作為公共電極；當所述選通開關將所述觸控信號線與信號輸入引腳連接時，該矩形金屬層作為觸控感應電極；

第五絕緣層，其設置于所述觸控\公共電極層以及所述第一絕緣層上；

像素電極層，其設置于所述第五絕緣層上，該像素電極層包括多個呈矩形陣列設置的像素電極。

在本發明所述的TFT陣列基板中，所述第四絕緣層設置有多個金屬化孔，所述觸控信號線通過金屬化孔與對應的矩形金屬層電連接。

在本發明所述的TFT陣列基板中，所述觸控信號線為ITO金屬線。

在本發明所述的TFT陣列基板中，所述基板上還設有數據線以及掃描線。

本發明提供的TFT陣列基板及液晶顯示器通過將觸控信號線設置在半導體層的同層，并采用公共電極復用為觸控感應電極，降低TFT陣列基板的厚度，提高像素開口率的有益效果，并將將觸控信號線與源極金屬以及漏級金屬設置于同一層，可以通過一次光罩形成，可以減少光罩次數。

附圖說明