[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件位線形成方法、半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811184657.2
• 申請(qǐng)日: 2018-10-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111048467A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

本公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體器件位線形成方法與半導(dǎo)體器件，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底包括有源區(qū)、淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)、埋入式字線以及埋入式字線上方的凹槽；沉積隔離層，隔離層填充凹槽并覆蓋半導(dǎo)體襯底的上表面；利用具有有源區(qū)圖形的第一掩膜層選擇性刻蝕隔離層，使凹槽內(nèi)剩余的隔離層厚度小于凹槽的深度；沉積位線接觸層，位線接觸層填充隔離層的上表面溝槽；沉積位線導(dǎo)電層；利用具有位線圖形的第二掩膜層選擇性刻蝕位線導(dǎo)電層與位線接觸層，第二掩膜層沿任一有源區(qū)的截面寬度大于有源區(qū)內(nèi)兩埋入式字線沿有源區(qū)的截面間距。本公開(kāi)可以增加位線接觸的面積，降低接觸電阻，提高存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件位線形成方法與半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的尺寸越來(lái)越小。現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造方法中，形成的位線接觸面積也隨著器件尺寸的減小而減小，通常導(dǎo)致位線接觸區(qū)域產(chǎn)生較高的接觸電阻，使得存儲(chǔ)單元難以進(jìn)行正常的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)，影響半導(dǎo)體器件的性能。

因此有必要提出一種新的半導(dǎo)體器件位線形成方法。

需要說(shuō)明的是，在上述背景技術(shù)部分公開(kāi)的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開(kāi)的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件位線形成方法與半導(dǎo)體器件，進(jìn)而至少在一定程度上克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件位線接觸電阻較高的問(wèn)題。

本公開(kāi)的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)下面的詳細(xì)描述變得顯然，或部分地通過(guò)本公開(kāi)的實(shí)踐而習(xí)得。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體器件位線形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括有源區(qū)、淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)、埋入式字線以及所述埋入式字線上方的凹槽；沉積隔離層，所述隔離層填充所述凹槽并覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的上表面；利用具有有源區(qū)圖形的第一掩膜層選擇性刻蝕所述隔離層，使所述凹槽內(nèi)剩余的隔離層厚度小于所述凹槽的深度；沉積位線接觸層，所述位線接觸層填充所述隔離層的上表面溝槽；沉積位線導(dǎo)電層；利用具有位線圖形的第二掩膜層選擇性刻蝕所述位線導(dǎo)電層與位線接觸層，所述第二掩膜層沿任一有源區(qū)的截面寬度大于所述有源區(qū)內(nèi)兩埋入式字線沿所述有源區(qū)的截面間距。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述第二掩膜層沿任一有源區(qū)的截面與所述有源區(qū)內(nèi)兩埋入式字線的中間區(qū)域沿所述有源區(qū)的截面中心對(duì)齊。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，在所述沉積位線導(dǎo)電層后，所述方法還包括：沉積絕緣層；所述利用具有位線圖形的第二掩膜層選擇性刻蝕所述位線導(dǎo)電層與位線接觸層包括：利用具有位線圖形的第二掩膜層選擇性刻蝕所述絕緣層、位線導(dǎo)電層與位線接觸層。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，在所述利用具有位線圖形的第二掩膜層選擇性刻蝕所述位線導(dǎo)電層與位線接觸層后，所述方法還包括：沉積介電層，所述介電層填充所述隔離層的上表面空隙并覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的上表面；在所述介電層內(nèi)形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，在所述沉積介電層前，所述方法還包括：在所述半導(dǎo)體襯底上表面、所述隔離層上表面、所述位線導(dǎo)電層的側(cè)壁與位線接觸層的側(cè)壁形成阻擋層。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述隔離層的材料為氮化硅或氮氧化硅，所述位線接觸層的材料為多晶硅，所述位線導(dǎo)電層的材料包括鎢、鎢化鈦、氮化鈦中的一種或多種。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述絕緣層的材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種。