[發(fā)明專利]圖像傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811182487.4 | 申請日: | 2018-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN109671731B | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 羅承柱;韓東敏 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N25/70 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像傳感器 | ||
一種圖像傳感器包括:基板,其包括相反的第一表面和第二表面;在基板的第一表面上的第一柵極和第二柵極,第一柵極和第二柵極的每個在第一方向上延伸;第一隔離層,其在第一柵極與第二柵極之間位于基板中,并在交叉第一方向的第二方向上具有第一寬度;第二隔離層,其在基板中位于第一隔離層上,并在第二方向上具有小于第一寬度的第二寬度。第二隔離層比第一隔離層更靠近基板的第二表面。第一隔離層與第二隔離層之間的垂直距離是第一隔離層的高度的1/3或更小。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開的示例實施方式涉及圖像傳感器。
背景技術(shù)
圖像傳感器是用于將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號的圖像器件。圖像傳感器分為電荷耦合器件(CCD)和互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器(CIS)。CIS包括二維布置的多個像素。每個像素包括光電二極管(PD)。光電二極管被配置為將入射光轉(zhuǎn)換成電信號。
隨著計算機(jī)和通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,例如數(shù)碼相機(jī)、便攜式攝像機(jī)、個人通信系統(tǒng)(PCS)、游戲設(shè)備、安保攝像頭、醫(yī)療微型相機(jī)或機(jī)器人的各種設(shè)備中強(qiáng)烈需要高性能圖像傳感器。這樣的圖像傳感器也被高度集成。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式,一種圖像傳感器可以包括:包括第一表面和第二表面的基板;在基板的第一表面上的第一柵極和第二柵極,其中第一柵極和第二柵極每個在第一方向上延伸;在第一柵極與第二柵極之間位于基板中的第一隔離層,其中第一隔離層在交叉第一方向的第二方向上具有第一寬度;以及在基板中位于第一隔離層上的第二隔離層,其中在第二方向上,第二隔離層具有小于第一寬度的第二寬度,其中第二隔離層比第一隔離層更靠近基板的第二表面,以及其中第一隔離層與第二隔離層之間的垂直距離是第一隔離層的高度的1/3或更小。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式,一種圖像傳感器可以包括:包括彼此相反設(shè)置的第一表面和第二表面的基板;在基板的第一表面上的第一柵極和第二柵極,其中第一柵極和第二柵極每個在第一方向上延伸;在第一柵極與第二柵極之間位于基板中的第一溝槽,其中第一溝槽在交叉第一方向的第二方向上具有第一寬度,并在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上具有第一深度;在基板中的第二溝槽,其中在第二方向上,第二溝槽具有小于第一寬度的第二寬度,以及其中第二溝槽垂直地重疊第一溝槽;在第一溝槽中的第一隔離層;以及在第二溝槽中的第二隔離層,其中第二隔離層包括與第一隔離層的材料不同的材料,以及其中第一隔離層與第二隔離層之間的垂直距離是第一溝槽的第一深度的1/3或更小。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施方式,一種圖像傳感器可以包括:包括彼此相反設(shè)置的第一表面和第二表面的基板;在基板中的光電轉(zhuǎn)換元件;在基板的第一表面上彼此間隔開的第一柵極和第二柵極;在第一柵極與第二柵極之間位于基板中的第一隔離層;在基板中的第二隔離層,其中第二隔離層包括多晶硅,以及其中第二隔離層垂直地重疊第一隔離層,并且比第一隔離層更靠近基板的第二表面;以及在基板的第二表面上的微透鏡,其中第一隔離層與第二隔離層之間的垂直距離是第一隔離層的高度的1/3或更小。
附圖說明
圖1示出根據(jù)示例實施方式的圖像傳感器的框圖。
圖2是圖1的傳感器陣列的等效電路圖。
圖3示出根據(jù)示例實施方式的圖像傳感器。
圖4是圖3的部分A的放大圖。
圖5至17示出根據(jù)示例實施方式的制造圖像傳感器的方法。
圖18示出根據(jù)示例實施方式的圖像傳感器。
圖19是圖18的部分B的放大圖。
圖20示出根據(jù)示例實施方式的圖像傳感器。
圖21示出根據(jù)示例實施方式的圖像傳感器。
圖22示出根據(jù)示例實施方式的圖像傳感器。
圖23示出根據(jù)示例實施方式的圖像傳感器。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





