[發明專利]圖像傳感器

有效

• 申請號: 201811182487.4
• 申請日: 2018-10-11
• 公開（公告）號: CN109671731B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 羅承柱;韓東敏
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N25/70
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種圖像傳感器，包括：

包括第一表面和第二表面的基板；

在所述基板的所述第一表面上的第一柵極和第二柵極，其中所述第一柵極和所述第二柵極每個在第一方向上延伸；

在所述第一柵極與所述第二柵極之間位于所述基板中的第一隔離層，其中所述第一隔離層在交叉所述第一方向的第二方向上具有第一寬度；以及

在所述基板中位于所述第一隔離層上的第二隔離層，其中在所述第二方向上，所述第二隔離層具有比所述第一寬度小的第二寬度；

其中所述第二隔離層比所述第一隔離層更靠近所述基板的所述第二表面，以及

其中所述第一隔離層的上表面與所述第二隔離層的下表面彼此垂直地間隔開所述第一隔離層的高度的1/3或更小的距離。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，還包括在所述第一隔離層與所述第二隔離層之間的第三隔離層。

3.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其中在所述第二方向上，所述第三隔離層具有比所述第一寬度小的第三寬度。

4.根據權利要求3所述的圖像傳感器，其中所述第三寬度大于所述第二寬度。

5.根據權利要求1所述的圖像傳感器，還包括覆蓋所述第二隔離層的側壁的第一溝槽鈍化層。

6.根據權利要求1所述的圖像傳感器，還包括：

在所述基板中位于所述第二隔離層上的第四隔離層；以及

在所述基板中位于所述第四隔離層上的第五隔離層，

其中所述第五隔離層比所述第四隔離層更靠近所述基板的所述第二表面。

7.根據權利要求6所述的圖像傳感器，還包括：

在所述第二隔離層上的第一溝槽鈍化層；

在所述第四隔離層上的第二溝槽鈍化層，

其中所述第一溝槽鈍化層接觸所述第二溝槽鈍化層。

8.根據權利要求6所述的圖像傳感器，其中所述第二隔離層和所述第四隔離層彼此垂直地間隔開。

9.根據權利要求6所述的圖像傳感器，其中所述第四隔離層包括多晶硅。

10.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一隔離層和所述第二隔離層包括不同的材料。

11.根據權利要求10所述的圖像傳感器，其中所述第一隔離層包括硅氧化物、硅氮化物、硅碳化物、硅氧碳化物、硅氮氧化物和/或硅氧碳氮化物，以及

所述第二隔離層包括多晶硅。

12.一種圖像傳感器，包括：

包括彼此相反設置的第一表面和第二表面的基板；

在所述基板的所述第一表面上的第一柵極和第二柵極，其中所述第一柵極和所述第二柵極每個在第一方向上延伸；

在所述第一柵極與所述第二柵極之間位于所述基板中的第一溝槽，其中所述第一溝槽在交叉所述第一方向的第二方向上具有第一寬度，并且在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上具有第一深度；

在所述基板中的第二溝槽，其中在所述第二方向上，所述第二溝槽具有小于所述第一寬度的第二寬度，以及其中所述第二溝槽垂直地重疊所述第一溝槽；

在所述第一溝槽中的第一隔離層；以及

在所述第二溝槽中的第二隔離層，

其中所述第二隔離層包括與所述第一隔離層的材料不同的材料，以及

其中所述第一隔離層的上表面與所述第二隔離層的下表面彼此垂直地間隔開所述第一溝槽的所述第一深度的1/3或更小的距離。

13.根據權利要求12所述的圖像傳感器，其中所述第一溝槽比所述第二溝槽更靠近所述基板的所述第一表面。

14.根據權利要求12所述的圖像傳感器，還包括在所述第二溝槽中以及在所述第一隔離層與所述第二隔離層之間的第三隔離層。