[發明專利]護層框架和護層

在審

• 申請號: 201811175048.0
• 申請日: 2018-10-10
• 公開（公告）號: CN109656095A
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發明（設計）人: 簗瀨優
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: G03F1/64
• 分類號: G03F1/64
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李躍龍

本發明提供一種護層框架和護層。具體地，本發明提供一種護層框架，其特征在于，包括線性膨脹系數為10×10^?6(1/K)以下且密度為4.6g/cm³以下的金屬或合金，本發明還提供一種護層，其特征在于，包括所述護層框架作為元件。

相關申請的交叉引用

本非臨時申請根據35U.S.C.§119(a)要求2017年10月10日在日本提交的專利申請No.2017-197004的優先權。其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本發明涉及當制造諸如大規模集成電路(LSI)和超大規模集成電路(VLSI)、印刷電路板、液晶顯示器等半導體器件時，用作防塵罩的光刻用護層(pellicle)。

背景技術

當制造諸如LSI和VLSI的半導體器件、液晶顯示器等時，通過用光照射半導體晶片或用于液晶的原板來形成圖案，如果灰塵附著到此時使用的光掩?；蚬庹?此后，簡稱為“光掩?！?上，則圖案的邊緣變得粗糙，并且還存在尺寸、品質、外觀等受損，例如，基底變得黑暗和骯臟的問題。

為此，圖案形成操作通常在潔凈室中進行，然而，仍然難以保持光掩模清潔。因此，在將護層作為防塵罩安裝到光掩模的表面上之后進行曝光。在這種情況下，異物不直接附著到光掩模的表面上而是附著到護層膜上，因此，如果在光刻時將焦點設置在光掩模的圖案上，則護層膜上的異物變得與轉印無關。

通常，按如下獲得護層(又稱防塵薄膜)：將用于護層膜的良好溶劑施加到由鋁、不銹鋼、聚乙烯等制成的護層框架的上端表面上，然后風干，并且將由透光良好的硝酸纖維素、乙酸纖維素、氟樹脂等制成的透明的護層膜粘合到上端表面(參見專利文獻1)，或者通過丙烯酸類樹脂、環氧樹脂等粘合劑將護層膜粘合到上端表面上(參見專利文獻2和3)。此外，在護層框架的下端，配置用于附著到光掩模上的由聚丁烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、丙烯酸類樹脂、硅樹脂等制成的壓敏粘合劑層，和用于保護壓敏粘合劑層的脫模層(脫模劑)。

進一步，在將這種護層安裝在光掩模的表面上，并且通過光掩模對在半導體晶片上或用于液晶的原板上形成的光致抗蝕劑膜進行曝光的情況下，諸如灰塵的異物附著到護層的表面上而不直接附著到光掩模的表面上，因此，通過用曝光光進行照射，使得焦點位于光掩模上形成的圖案上，能夠避免諸如灰塵的異物的影響。

順便說一下，近年來，半導體器件和液晶顯示器實際上已經越來越高度集成化和小型化。目前，用于在光致抗蝕劑膜上形成約32nm的微細圖案的技術正在投入實際使用。只要圖案為約32nm，在半導體晶片或用于液晶的原板與投影透鏡之間的空間就填充有諸如超純水的液體，并且通過使用氟化氬(ArF)準分子激光器，圖案能夠通過用于曝光光致抗蝕劑膜的浸漬曝光技術或使用傳統準分子激光器(例如雙曝光)的改進技術來實現。

然而，對于下一代半導體器件或液晶顯示器，需要10nm以下的進一步小型化的圖案形成，并且不再可能通過使用準分子激光器的傳統曝光技術的改進來形成10nm以下的這種小型化圖案。

因此，作為形成10nm以下的圖案的方法，使用具有13.5nm主波長的EUV光的極紫外(EUV)曝光技術是有希望的。在通過使用EUV曝光技術在光致抗蝕劑膜上形成10nm以下的微細圖案的情況下，需要解決如下技術問題，例如：使用何種類型的光源，使用何種類型的光致抗蝕劑，以及使用何種類型的護層。在這些技術問題中，就新的光源和新的光致抗蝕劑材料而論，開發已經取得進展并且已經提出了各種建議。

關于影響半導體器件或液晶顯示器的成品率的護層，例如，在專利文獻3中，將透明且不引起光學畸變的厚度為0.1至2.0μm的硅膜描述為用于EUV光刻的護層膜，然而，實際上，為了在實踐中應用，尚未解決的問題仍然存在并且是將EUV曝光技術應用于實踐中的主要障礙。