[發明專利]半導體器件的制造方法、半導體器件

在審

• 申請號: 201811167777.1
• 申請日: 2018-10-08
• 公開（公告）號: CN111009522A
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 汪廣羊
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一導電類型的半導體襯底，所述半導體襯底包括第一區和第二區；

形成位于所述半導體襯底上的柵極結構，所述柵極結構包括位于所述第一區中的第一柵極結構和位于所述第二區中的第二柵極結構，所述第一柵極結構包括沿著遠離所述第二區的方向并列設置的多個第一區柵極，所述第二柵極結構包括沿著遠離所述第一區的方向并列設置的多個第二區柵極，其中，所述多個第一區柵極中距離所述第二區最近的第一區柵極的寬度較其他第一區柵極的寬度大，所述多個第二區柵極中距離所述第一區最近的第二區柵極的寬度較其他第一區柵極的寬度大。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述其他第一區柵極中距離所述第二區較近的第一區柵極的寬度不小于距離所述第二區較遠的第一區柵極的寬度，所述其他第二區柵極中距離所述第一區較近的第二區柵極的寬度不小于距離所述第一區較遠的第二區柵極的寬度。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一區柵極的寬度沿著遠離所述第二區的方向逐漸減小，所述第二區柵極的寬度沿著遠離所述第一區的方向逐漸減小。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包括：形成位于所述半導體襯底中的源漏極，所述源漏極包括位于第一區中的所述第一柵極結構兩側的源漏極和位于所述第二區中的所述第二柵極結構兩側的源漏極，所述源漏極為第二導電類型。

5.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，還包括：在形成所述源漏極之后，形成環繞所述第一區和所述第二區的第一導電類型的環區，其中，在第一區和第二區之間的區域共用同一部分所述第一導電類型的環區。

6.一種半導體器件，其特征在于，包括:

第一導電類型的半導體襯底，所述半導體襯底包括第一區和第二區；

位于所述半導體襯底上的柵極結構，所述柵極結構包括位于所述第一區中的第一柵極結構和位于所述第二區中的第二柵極結構，所述第一柵極結構包括沿著遠離所述第二區的方向并列設置的多個第一區柵極，所述第二柵極結構包括沿著遠離所述第一區的方向并列設置的多個第二區柵極，其中，所述多個第一區柵極中距離所述第二區最近的第一區柵極的寬度較其他第一區柵極的寬度大，所述多個第二區柵極中距離所述第一區最近的第二區柵極的寬度較其他第一區柵極的寬度大。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述其他第一區柵極中距離所述第二區較近的第一區柵極的寬度不小于距離所述第二區較遠的第一區柵極的寬度，所述其他第二區柵極中距離所述第一區較近的第二區柵極的寬度不小于距離所述第一區較遠的第二區柵極的寬度。

8.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第一區柵極的寬度沿著遠離所述第二區的方向逐漸減小，所述第二區柵極的寬度沿著遠離所述第一區的方向逐漸減小。

9.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，還包括：位于所述半導體襯底中的源漏極，所述源漏極包括位于第一區中的所述第一柵極結構兩側的源漏極和位于所述第二區中的所述第二柵極結構兩側的源漏極，所述源漏極為第二導電類型。

10.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，還包括設置在所述第一區和所述第二區之間環繞所述第一區和所述第二區的第一導電類型的環區，其中，在第一區和第二區之間的區域共用同一部分所述第一導電類型的環區。