[發(fā)明專利]一種用于藍(lán)寶石襯底的碳化硅涂層及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811167472.0 | 申請日： | 2018-10-08 |
| 公開（公告）號： | CN110357665B | 公開（公告）日： | 2021-12-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 汪洋;萬強(qiáng);柴攀;其他發(fā)明人請求不公開姓名 | 申請（專利權(quán)）人： | 湖南德智新材料有限公司 |
| 主分類號： | C04B41/87 | 分類號： | C04B41/87 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人： | 娜拉 |
| 地址： | 412000 湖南省株洲市天元區(qū)中*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 藍(lán)寶石 襯底 碳化硅 涂層 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于藍(lán)寶石襯底的碳化硅涂層結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：碳化硅晶須和碳化硅涂層，所述碳化硅晶須結(jié)合在藍(lán)寶石襯底的表面；在結(jié)合碳化硅晶須的藍(lán)寶石襯底的表面，結(jié)合碳化硅涂層；所述碳化硅晶須鑲嵌于碳化硅涂層中，
所述碳化硅晶須垂直于藍(lán)寶石襯底的表面，所述碳化硅晶須的密度為每平方毫米100根~500根，所述碳化硅晶須的直徑為10-50nm、長度為1-10μm，
所述碳化硅涂層包含碳化硅內(nèi)層和碳化硅外層，所述碳化硅內(nèi)層為異質(zhì)外延生長的多晶碳化硅涂層，所述碳化硅外層為同質(zhì)外延生長的單晶碳化硅涂層，所述碳化硅內(nèi)層的厚度為5~10μm，所述碳化硅外層的厚度為15-50μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于藍(lán)寶石襯底的碳化硅涂層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述碳化硅內(nèi)層和所述碳化硅外層中的Si：C原子比為1：1。
3.一種如權(quán)利要求1或2所述的用于藍(lán)寶石襯底的碳化硅涂層結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
藍(lán)寶石襯底預(yù)清洗處理后，在藍(lán)寶石襯底表面涂刷Fe(NO3)3或Ni(NO3)2溶液；涂刷后烘干，采用化學(xué)氣相沉積方法在藍(lán)寶石襯底的表面沉積碳化硅晶須；
在沉積碳化硅晶須的藍(lán)寶石襯底的表面，采用化學(xué)氣相沉積方法沉積碳化硅涂層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于藍(lán)寶石襯底的碳化硅涂層結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述沉積碳化硅涂層包括：三氯甲基硅烷為前驅(qū)體，氬氣為稀釋氣，氫氣為載氣，沉積溫度1000～1200℃，沉積壓力小于100Pa，沉積時(shí)間2～5h；三氯甲基硅烷流量10-20mL/min，氫氣流量100-300mL/min，氬氣流量100-200mL/min。
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