[發明專利]一種半導體結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201811160228.1
• 申請日: 2018-09-30
• 公開（公告）號: CN110970436A
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 吳公一;陳龍陽
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 王華英

1.一種半導體結構制作方法，其特征在于，所述方法至少包括：

在襯底上形成多個位線結構；

在所述襯底上形成多個介質墻，其中，所述介質墻的上表面高于所述位線結構的上表面，且所述介質墻延伸覆蓋其與所述位線結構交疊的部分；

在所述位線結構和所述介質墻所圍成的電容存儲節點窗口中制作絕緣結構，以形成分離的電容存儲節點窗口；

在所述分離的電容存儲節點窗口中沉積導電材料層；

回蝕刻所述導電材料層，在所述絕緣結構的兩側形成電容接觸節點結構。

2.根據權利要求1所述的半導體結構制作方法，其特征在于，所述在所述位線結構和所述介質墻所圍成的電容存儲節點窗口中制作絕緣結構的步驟，包括：

形成所述介質墻的絕緣側壁；

沉積犧牲層覆蓋所述電容存儲節點窗口、所述位線結構及所述介質墻；

刻蝕所述犧牲層以在所述電容存儲節點窗口中形成第一溝槽；

在所述第一溝槽內沉積第一層間介質，并回刻蝕部分所述第一層間介質，以在所述電容存儲節點窗口中形成由第一層間介質構成的工字型掩膜結構；

利用所述第一層間介質作為掩膜，蝕刻所述電容存儲節點窗口內的犧牲層以形成所述絕緣結構；

其中，所述絕緣結構包括：所述第一溝槽內沉積的第一層間介質以及所述工字型掩膜結構下方至所述襯底上方的犧牲層。

3.根據權利要求2所述的半導體結構制作方法，其特征在于，所述刻蝕所述犧牲層以在所述電容存儲節點窗口中形成第一溝槽的步驟，包括：

干法刻蝕所述犧牲層以在所述電容存儲節點窗口中形成第一溝槽。

4.根據權利要求2所述的半導體結構制作方法，其特征在于，所述刻蝕所述犧牲層以在所述電容存儲節點窗口中形成所述第一溝槽的步驟，包括：

沉積所述犧牲層覆蓋所述電容存儲節點窗口、所述位線結構及所述介質墻，在所述電容存儲節點窗口中形成第二溝槽，其中，所述第二溝槽尺寸是相鄰兩根位線間距的20％～60％。；

蝕刻所述第二溝槽的底部、所述位線結構頂部及所述介質墻頂部的所述犧牲層，在所述電容存儲節點窗口中形成所述第一溝槽。

5.根據權利要求1所述的半導體結構制作方法，其特征在于，所述在襯底上形成多個位線結構的步驟，包括：

在所述襯底內形成有淺溝槽隔離結構，以隔離出若干間隔排布的有源區；

所述有源區內形成有若干埋入式柵極結構，其中，所述埋入式柵極結構兩側形成有第一摻雜區和第二摻雜區；

在所述第一摻雜區上方形成多個位線結構。

6.根據權利要求2所述的半導體結構制作方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成多個介質墻的步驟，包括：

在所述襯底及所述位線結構上淀積第二層間介質，所述第二層間介質的上表面高于所述位線結構的高度；

在所述第二層間介質上淀積掩膜材料層，并圖形化所述掩膜材料層，利用所述掩膜材料層刻蝕所述第二層間介質；

其中，所述介質墻與所述位線結構相交。

7.根據權利要求1所述的半導體結構制作方法，其特征在于，所述回蝕刻所述導電材料層，在所述絕緣結構的兩側形成電容接觸節點結構的步驟，包括：

回蝕刻所述導電材料層，保留所述導電材料層的厚度為位線高度的30％-60％，以在所述絕緣結構的兩側形成電容接觸節點結構，且所述電容接觸節點結構與第二摻雜區形成電連接。

8.根據權利要求6所述的半導體結構制作方法，其特征在于，所述第二層間介質為氧化硅，所述掩膜材料層為氮化硅。

9.根據權利要求2所述的半導體結構制作方法，其特征在于，所述沉積犧牲層覆蓋所述電容存儲節點窗口、所述位線結構及所述介質墻的步驟中，所述犧牲材料層的厚度為相鄰兩根位線間距的20％-40％。