[發明專利]一種多通道瓦片式相控陣收發陣列及其制造方法有效
| 申請號： | 201811147715.4 | 申請日： | 2018-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN109245793B | 公開（公告）日： | 2023-05-09 |
| 發明（設計）人： | 許志濤;位朝壘;趙虎辰;郭肅麗;閆騰飛;崔學武;左智超 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十四研究所 |
| 主分類號： | H04B1/40 | 分類號： | H04B1/40 |
| 代理公司： | 河北東尚律師事務所 13124 | 代理人： | 王文慶 |
| 地址： | 050081 河北省石家莊市中山西路*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 通道 瓦片 相控陣 收發 陣列 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多通道瓦片式相控陣收發陣列子陣模塊的制造方法，其特征在于包括以下步驟：
（1）將第一射頻連接器與上層金屬殼體以第一溫度進行一體化燒結成型；
（2）將收發電路板通過焊膏以第一固化溫度焊接在上層金屬殼體的下表面，同時，收發電路板與第一射頻連接器的下端焊接；然后，通過導電膠以第二固化溫度將射頻芯片焊接在收發電路板上；接著，通過金絲鍵合工藝實現射頻芯片與收發電路板的互連；
（3）將第二射頻連接器和低頻連接器與下層金屬殼體以第二溫度進行一體化燒結成型；
（4）將上層金屬殼體與下層金屬殼體對扣，使得第二射頻連接器與功率分配/合成網絡的合路接口互連，低頻連接器與供電控制接口互連；然后對扣合縫隙進行激光封焊，從而在上層金屬殼體與下層金屬殼體之間形成密閉的空腔；
（5）將天線電路板通過焊膏以第三固化溫度焊接到上層金屬殼體的上表面，同時，天線電路板的天線陣元與第一射頻連接器的上端焊接；
所述第一溫度和第二溫度均大于第一固化溫度，所述第一固化溫度、第二固化溫度和第三固化溫度依次遞減。
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