[發明專利]一種IGBT功率器件在審
| 申請號： | 201811147326.1 | 申請日： | 2018-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN110970496A | 公開（公告）日： | 2020-04-07 |
| 發明（設計）人： | 劉磊;劉偉;毛振東;袁愿林 | 申請（專利權）人： | 蘇州東微半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215028 江蘇省蘇州市蘇州工業園區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 igbt 功率 器件 | ||
1.一種IGBT功率器件，其特征在于，包括：
半導體襯底；
位于所述半導體襯底底部的p型集電極區；
位于所述半導體襯底中的至少一個柵溝槽；
分別位于所述柵溝槽的上部的兩側側壁位置處的第一控制柵和第二控制柵，所述第一控制柵和所述第二控制柵分別通過柵介質層與所述半導體襯底隔離；
位于所述柵溝槽中的屏蔽柵，所述屏蔽柵通過隔離介質層與所述半導體襯底、所述第一控制柵和所述第二控制柵隔離；
位于所述半導體襯底中且靠近所述第一控制柵一側的p型體區；
位于所述p型體區中的n型發射極區；
位于所述p型體區上方的一個發射極接觸孔，所述發射極接觸孔延伸至所述柵溝槽上方，所述p型體區、所述n型發射極區、所述第一控制柵和所述屏蔽柵均通過所述發射極接觸孔中的發射極金屬層外接發射極電壓；
所述第二控制柵外接柵極電壓。
2.如權利要求1所述的一種IGBT功率器件，其特征在于，所述p型體區和所述柵溝槽依次間隔交替排列。
3.如權利要求1所述的一種IGBT功率器件，其特征在于，所述發射極金屬層嵌入至所述p型體區內。
4.如權利要求1所述的一種IGBT功率器件，其特征在于，所述屏蔽柵與所述半導體襯底之間的隔離介質層的厚度大于或者等于所述屏蔽柵與所述第一控制柵和所述第二控制柵之間的隔離介質層的厚度。
5.如權利要求1所述的一種IGBT功率器件，其特征在于，所述屏蔽柵和所述隔離介質層覆蓋所述柵溝槽的下部并且在所述柵溝槽的上部將所述第一控制柵和所述第二控制柵分隔開。
6.如權利要求1所述的一種IGBT功率器件，其特征在于，還包括位于所述半導體襯底底部的n型集電極區，所述n型集電極區和所述p型集電極區依次間隔交替排布。
7.如權利要求1所述的一種IGBT功率器件，其特征在于，還包括位于所述半導體襯底內且位于所述p型集電極區上方的n型場截止區。
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