[發(fā)明專利]OLED面板以及制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811142938.1 | 申請日: | 2018-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN109378402B | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張興永 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 面板 以及 制備 方法 | ||
1.一種OLED面板,其特征在于,所述OLED面板包括:
發(fā)光基板,以及設(shè)置在所述發(fā)光基板上至少一組封裝薄膜;
所述封裝薄膜包括設(shè)置在所述發(fā)光基板上的第一無機(jī)層,所述第一無機(jī)層的邊緣區(qū)域設(shè)置有無機(jī)擋墻,所述第一無機(jī)層上設(shè)置有有機(jī)層且所述有機(jī)層被阻擋在所述無機(jī)擋墻內(nèi),所述有機(jī)層上設(shè)置有覆蓋所述第一無機(jī)層、有機(jī)層和無機(jī)擋墻的第二無機(jī)層;
其中,所述無機(jī)擋墻包括多個(gè)側(cè)壁;所述側(cè)壁包括相對設(shè)置的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁,以及分別設(shè)置在所述第一側(cè)壁兩側(cè)的第三側(cè)壁和第四側(cè)壁,所述第三側(cè)壁和所述第四側(cè)壁相對設(shè)置;
所述第一側(cè)壁與所述第三側(cè)壁以及第四側(cè)壁相連接,且所述第二側(cè)壁與所述第三側(cè)壁以及第四側(cè)壁相連接,以在所述第一無機(jī)層的邊緣區(qū)域使所述無機(jī)擋墻包圍所述有機(jī)層,或;
所述無機(jī)擋墻還包括第一連接臂、第二連接壁、第三連接臂和第四連接臂,所述第一連接臂連接所述第一側(cè)壁與所述第三側(cè)壁;所述第二連接臂連接所述第一側(cè)壁與所述第四側(cè)壁;所述第三連接臂連接所述第二側(cè)壁與所述第三側(cè)壁;所述第四連接臂連接所述第二側(cè)壁與所述第四側(cè)壁,或;
任一所述側(cè)壁包括主體部以及設(shè)置在所述主體部兩端的彎折部,所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁的彎折部上設(shè)置有至少一個(gè)開口和/或,所述第三側(cè)壁和所述第四側(cè)壁的彎折部上設(shè)置有至少一個(gè)開口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED面板,其特征在于,相鄰所述側(cè)壁的彎折部到所述發(fā)光基板的中心點(diǎn)的距離不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED面板,其特征在于,所述無機(jī)擋墻的材料為氮化硅、碳氮化硅或者氧化硅。
4.一種OLED面板的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:
提供一發(fā)光基板;
在所述發(fā)光基板上形成至少一組封裝薄膜,所述封裝薄膜包括層疊設(shè)置在所述發(fā)光基板上的第一無機(jī)層、有機(jī)層、第二無機(jī)層,其中,在所述第一無機(jī)層的邊緣區(qū)域形成有無機(jī)擋墻;
其中,所述無機(jī)擋墻包括多個(gè)側(cè)壁;所述側(cè)壁包括相對設(shè)置的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁,以及分別設(shè)置在所述第一側(cè)壁兩側(cè)的第三側(cè)壁和第四側(cè)壁,所述第三側(cè)壁和所述第四側(cè)壁相對設(shè)置;
所述第一側(cè)壁與所述第三側(cè)壁以及第四側(cè)壁相連接,且所述第二側(cè)壁與所述第三側(cè)壁以及第四側(cè)壁相連接,以在所述第一無機(jī)層的邊緣區(qū)域使所述無機(jī)擋墻包圍所述有機(jī)層,或;
所述無機(jī)擋墻還包括第一連接臂、第二連接壁、第三連接臂和第四連接臂,所述第一連接臂連接所述第一側(cè)壁與所述第三側(cè)壁;所述第二連接臂連接所述第一側(cè)壁與所述第四側(cè)壁;所述第三連接臂連接所述第二側(cè)壁與所述第三側(cè)壁;所述第四連接臂連接所述第二側(cè)壁與所述第四側(cè)壁,或;
任一所述側(cè)壁包括主體部以及設(shè)置在所述主體部兩端的彎折部,所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁的彎折部上設(shè)置有至少一個(gè)開口和/或,所述第三側(cè)壁和所述第四側(cè)壁的彎折部上設(shè)置有至少一個(gè)開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述在所述發(fā)光基板上形成至少一組封裝薄膜的步驟,包括:
在所述發(fā)光基板上形成第一無機(jī)層;
在所述第一無機(jī)層上形成無機(jī)阻擋層;
對所述無機(jī)阻擋層進(jìn)行圖案化,以在所述第一無機(jī)層的邊緣區(qū)域形成無機(jī)擋墻;
在所述第一無機(jī)層上,且對應(yīng)被所述無機(jī)擋墻包圍的區(qū)域形成有機(jī)層;
在所述第一無機(jī)層、無機(jī)擋墻以及所述有機(jī)層上形成第二無機(jī)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,對所述無機(jī)阻擋層進(jìn)行圖案化,以在所述第一無機(jī)層的邊緣區(qū)域形成無機(jī)擋墻的步驟,包括:
利用第一掩膜板將所述第一無機(jī)層除所述第一無機(jī)層的邊緣區(qū)域以外的區(qū)域遮蔽,以在所述第一無機(jī)層的邊緣區(qū)域形成第一無機(jī)擋墻;
利用第二掩膜板將所述第一無機(jī)擋墻以及所述第一無機(jī)層上無需形成所述無機(jī)擋墻的區(qū)域遮蔽,以在所述第一無機(jī)層的邊緣區(qū)域形成第二無機(jī)擋墻,其中,所述第一無機(jī)擋墻和所述第二無機(jī)擋墻包圍所述有機(jī)層形成所述無機(jī)擋墻。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,對所述無機(jī)阻擋層進(jìn)行圖案化,以在所述第一無機(jī)層的邊緣區(qū)域形成無機(jī)擋墻的步驟,包括:
利用第三掩膜板將所述第一無機(jī)層除所述第一無機(jī)層的邊緣區(qū)域以外的區(qū)域遮蔽,以在所述第一無機(jī)層的邊緣區(qū)域形成無機(jī)擋墻。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
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- 護(hù)耳器以及口罩以及眼鏡





