[發明專利]基片處理裝置

在審

• 申請號: 201811139512.0
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN109585336A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 稻富弘朗;中村徹;木本晃司;青山義尚
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

運送區塊，其配置有用于運送基片的運送裝置；和

多個處理區塊，其與所述運送區塊相鄰配置，處理由所述運送裝置運送的基片，

各處理區塊包含一個液處理組件和一個干燥組件，

所述液處理組件進行在所述基片的上表面形成液膜的液膜形成處理，

所述干燥組件進行超臨界干燥處理，所述超臨界干燥處理通過使所述液膜形成處理后的基片與超臨界狀態的處理流體接觸，使所述液膜形成處理后的基片干燥，

同一個所述處理區塊包含的所述液處理組件和所述干燥組件，相對于所述運送區塊的所述運送裝置的移動方向配置在相同側。

2.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述運送裝置在同一個所述處理區塊包含的所述液處理組件與所述干燥組件之間，運送所述液膜形成處理后的基片。

3.如權利要求1或者2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述多個處理區塊多層配置。

4.如權利要求3所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括交接部，其與所述運送區塊相鄰配置，用于載置所述基片，

所述運送裝置在配置于各層的所述處理區塊與所述交接部之間，運送所述基片。

5.如權利要求1、2、4中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述多個處理區塊配置在所述運送區塊的所述移動方向的兩側，

配置在所述運送區塊的一側的所述處理區塊與配置在所述運送區塊的另一側的所述處理區塊，在俯視時隔著所述運送區塊對稱配置。

6.如權利要求1、2、4的任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述干燥組件包括：

進行所述超臨界干燥處理的處理區域；和

在所述運送區塊與所述處理區域之間交接所述基片的交接區域，

所述處理區域和所述交接區域沿所述運送區塊排列。

7.如權利要求6所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述交接區域配置在比所述處理區域更靠近所述液處理組件的一側。

8.如權利要求7所述的基片處理裝置，其特征在于，包括：

第一排氣路徑，其從所述處理區域排出所述超臨界狀態的處理流體；和

對所述交接區域進行排氣的第二排氣路徑。

9.如權利要求1、2、4、7的任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

各所述處理區塊還包括向所述干燥組件供給所述處理流體的供給組件，

同一個所述處理區塊包含的所述液處理組件、所述干燥組件和所述供給組件，相對于所述運送區塊的所述運送裝置的移動方向配置在相同側。