[發明專利]半導體封裝件以及包括其的半導體器件

有效

• 申請號: 201811136358.1
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN110047810B
• 公開（公告）日: 2023-05-19
• 發明（設計）人: 金泳龍;白承德
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/538;H10B80/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 陳宇;尹淑梅

1.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

下芯片，包括下芯片主體、豎直地延伸穿過下芯片主體的第一硅通孔和位于下芯片主體的上表面上的墊，墊分別電連接到第一硅通孔；

上芯片，位于下芯片上，上芯片包括上芯片主體和位于上芯片主體的下表面上的凸塊，凸塊分別直接鍵合到下芯片的墊中的對應的墊，并且凸塊中的每個凸塊包括柱和焊料層；以及

粘合劑層，位于下芯片主體與上芯片主體之間，

其中，凸塊的柱、第一硅通孔和墊中的每個具有在與下芯片主體的上表面垂直的方向上延伸的中心線，

凸塊的柱的中心線如在半導體封裝件的平面圖中所觀看到的分別延伸穿過柱的幾何中心，

第一硅通孔的中心線分別延伸穿過第一硅通孔的軸向中心，

墊的中心線如在半導體封裝件的平面圖中所觀看到的分別豎直地延伸穿過墊的幾何中心，

凸塊的柱的中心線分別與第一硅通孔的中心線對準，并且

在下芯片的外圍區域中，凸塊的柱的中心線從墊中的所述凸塊所鍵合到的對應的墊的中心線偏移，并且

其中，在下芯片的中心區域中，柱中的一個柱的中心線與墊中的對應的墊的中心線彼此對準。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，在下芯片的外圍區域中，在彼此鍵合的凸塊和墊中的對應的墊之中，凸塊的柱的中心線與墊中的所述凸塊所鍵合到的對應的墊的中心線之間的偏移量變化。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，對于墊中的每個墊，所述半導體封裝件具有小于50％的未對準程度，

其中，墊的未對準程度是鍵合到所述墊的凸塊的中心線與所述墊的中心線之間的距離除以鍵合到所述墊的所述凸塊的柱的寬度。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，如半導體封裝件的平面圖中所觀看到的，墊關于下芯片的中心對稱地設置。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其中，凸塊的柱的中心線與墊中的所述凸塊所鍵合到的對應的墊的中心線之間的偏移量沿從下芯片的中心朝向下芯片的側邊緣的方向增大。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，上芯片包括在上芯片主體中豎直地延伸的第二硅通孔，

其中，第二硅通孔分別電連接到凸塊。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述半導體封裝件是高帶寬存儲器封裝件。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，下芯片是緩沖芯片，并且上芯片是存儲器芯片。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括位于上芯片上的第二存儲器芯片，

其中，所述半導體封裝件是高帶寬存儲器封裝件，

上芯片具有豎直地延伸穿過上芯片主體的第二硅通孔和設置在上芯片主體上并且分別直接電連接到第二硅通孔的第二墊，并且

第二硅通孔分別具有延伸穿過第二硅通孔的軸向中心的中心線，

第二墊如在半導體封裝件的平面圖中所觀看到的分別具有豎直地延伸穿過第二墊的幾何中心的中心線，

第二硅通孔的中心線分別與凸塊的柱的中心線對準，并且

在存儲器芯片的外圍區域中，每個第二硅通孔的中心線從第二硅通孔直接電連接到的第二墊的中心線偏移。

10.一種半導體器件，所述半導體器件包括根據權利要求9所述的半導體封裝件，所述半導體器件還包括：

印刷電路板；

中介層，安裝在印刷電路板上，半導體封裝件安裝在中介層上；以及

處理器芯片，安裝在中介層上，與高帶寬存儲器封裝件橫向間隔開。