[發(fā)明專利]具有低熔融溫度的聚合物主體的PPTC器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811119627.3
• 申請(qǐng)日: 2018-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN109545484A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳建華;曾俊昆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 力特有限公司
• 主分類號(hào): H01C7/02
• 分類號(hào): H01C7/02;H01C1/14;H01H85/06
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 孫紀(jì)泉

1.一種熔斷器裝置，包括：

聚合物正溫度系數(shù)主體；

第一電極，所述第一電極布置在聚合物正溫度系數(shù)主體的第一側(cè)上；和

第二電極，所述第二電極布置在聚合物正溫度系數(shù)主體的第二側(cè)上；

其中，所述聚合物正溫度系數(shù)主體包含聚合物基質(zhì)和導(dǎo)電填料，

其中，所述聚合物基質(zhì)包含具有低于150℃的熔融溫度的聚合物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器裝置，其中，所述聚合物基質(zhì)包含具有低于150℃的熔融溫度的含氟聚合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熔斷器裝置，其中，所述聚合物基質(zhì)包含一種或多種聚合物，其中所述一種或多種聚合物構(gòu)成所述聚合物正溫度系數(shù)主體的35％至75％的體積分?jǐn)?shù)，其中所述導(dǎo)電填料構(gòu)成聚合物正溫度系數(shù)主體的25％至65％的體積分?jǐn)?shù)，并且其中導(dǎo)電填料的體積電阻率小于500μΩ-cm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熔斷器裝置，其中，所述聚合物正溫度系數(shù)主體在25℃下的維持電流密度為0.05A/mm²至0.4A/mm²。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器裝置，其中，所述聚合物基質(zhì)包含結(jié)晶聚烯烴聚合物、聚烯烴共聚物、或結(jié)晶聚烯烴聚合物和聚烯烴共聚物的組合，所述聚合物基質(zhì)具有低于120℃的熔點(diǎn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熔斷器裝置，其中，所述聚合物基質(zhì)構(gòu)成所述聚合物正溫度系數(shù)主體的35％至75％的體積分?jǐn)?shù)，其中所述導(dǎo)電填料構(gòu)成所述聚合物正溫度系數(shù)主體的25％至65％的體積分?jǐn)?shù)，并且其中所述導(dǎo)電填料的體積電阻率小于500μΩ-cm。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熔斷器裝置，其中，所述聚合物正溫度系數(shù)主體在25℃下的維持電流密度為0.05A/mm²至0.4A/mm²。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器裝置，包括單層表面安裝器件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔斷器裝置，包括雙層表面安裝器件。

10.一種熔斷器裝置，包括：

聚合物正溫度系數(shù)主體；

第一電極，所述第一電極布置在聚合物正溫度系數(shù)主體的第一側(cè)上；

第二電極，所述第二電極布置在聚合物正溫度系數(shù)主體的第二側(cè)上；和

其中，所述聚合物正溫度系數(shù)主體包含聚合物基質(zhì)和導(dǎo)電填料，

其中，所述聚合物基質(zhì)包含具有范圍在90℃和110℃之間的熔融溫度的低溫聚偏二氟乙烯材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的熔斷器裝置，其中，所述聚合物正溫度系數(shù)主體在25℃下的維持電流密度為0.05A/mm²至0.4A/mm²。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的熔斷器裝置，其中所述聚合物基質(zhì)構(gòu)成所述聚合物正溫度系數(shù)主體的35％至75％的體積分?jǐn)?shù)，其中所述導(dǎo)電填料構(gòu)成所述聚合物正溫度系數(shù)主體的25％至65％的體積分?jǐn)?shù)，并且其中所述導(dǎo)電填料的體積電阻率小于500μΩ-cm。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的熔斷器裝置，具有120℃或更低的跳閘溫度。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的熔斷器裝置，包括碳化鎢填料。