[發明專利]一種透明薄膜晶體管及其制備方法

在審

• 申請號: 201811117597.2
• 申請日: 2018-09-20
• 公開（公告）號: CN109411543A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: 姚日暉;章紅科;寧洪龍;李曉慶;張嘯塵;鄧宇熹;鄧培淼;周尚雄;袁煒健;彭俊彪
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/34;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 向玉芳

1.一種透明薄膜晶體管，其特征在于，由依次層疊的玻璃基板、AZO柵極電極、Al₂O₃柵極絕緣層、AZO半導體層、Al₂O₃半導體修飾層以及AZO源漏電極構成。

2.根據權利要求1所述的一種透明薄膜晶體管，其特征在于，所述AZO柵極電極的厚度為100～150nm，所述Al₂O₃柵極絕緣層的厚度為300～350nm。

3.根據權利要求1或2所述的一種透明薄膜晶體管，其特征在于，所述AZO半導體層的厚度為2～3nm，所述Al₂O₃半導體修飾層的厚度為4～5nm。

4.根據權利要求1或2所述的一種透明薄膜晶體管，其特征在于，所述AZO源漏電極的厚度為100～150nm。

5.權利要求1～4任一項所述透明薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將玻璃基底清洗、烘干；

(2)在玻璃基底上采用脈沖激光沉積一層AZO柵極電極，然后在AZO柵極電極上采用射頻磁控濺射沉積制備一層Al₂O₃柵極絕緣層；

(3)采用脈沖激光沉積在Al₂O₃柵極絕緣層上依次沉積一層AZO半導體層、一層Al₂O₃半導體修飾層和一層AZO源漏電極。

6.根據權利要求5所述透明薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述清洗為依次用去離子水和異丙醇超聲震蕩清洗10～15min，所述烘干是指在80～85℃下烘干。

7.根據權利要求5所述透明薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述脈沖激光沉積的工藝參數如下：施加電壓為20.2Kv，激光能量為370mJ，激光頻率為5HZ，施加脈沖數為8000，氧壓為0mtorr；所述射頻磁控濺射沉積的工藝參數如下：濺射功率為120W、濺射氣壓為1mtorr、氬氣與氧氣比例為100:0。

8.根據權利要求5所述透明薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，步驟(3)中當沉積一層AZO半導體層時，所述脈沖激光沉積的工藝參數如下：施加電壓為20.2Kv，激光能量為370mJ，激光頻率為5HZ，施加脈沖數為210，氧壓為10mtorr。

9.根據權利要求5所述透明薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，步驟(3)中當沉積一層Al₂O₃半導體修飾層時，所述脈沖激光沉積的工藝參數如下：施加電壓為20.2Kv，激光能量為370mJ，激光頻率為5HZ，施加脈沖數為470，氧壓為10mtorr。

10.根據權利要求5所述透明薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，步驟(3)中當沉積一層AZO源漏電極時，所述脈沖激光沉積的工藝參數如下：施加電壓為20.2Kv，激光能量為370mJ，激光頻率為5HZ，施加脈沖數為8000，氧壓為0mtorr。