[發明專利]一種石墨烯/聚芳醚砜酮導電薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201811112824.2
• 申請日: 2018-09-25
• 公開（公告）號: CN109233241B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 李偉;馮博文;薛飛;盧少微;王柏臣;馬克明;王靜
• 申請（專利權）人: 沈陽航空航天大學
• 主分類號: C08L71/10
• 分類號: C08L71/10;C08K9/00;C08K3/04;C08J5/18
• 代理公司: 沈陽維特專利商標事務所(普通合伙) 21229
• 代理人: 楊群

1.一種石墨烯/聚芳醚砜酮導電薄膜的制備方法，其特征在于，具體步驟如下：

1)將聚芳醚砜酮樹脂加入到溶劑中，在70℃下攪拌均勻，制成質量濃度為10～35％的樹脂溶液；

2)將氧化石墨烯加入到相同溶劑中，進行1～2h的超聲分散，超聲功率為1000W，頻率為40Hz，形成氧化石墨烯分散溶液；

3)將步驟2)制備的氧化石墨烯分散溶液與步驟1)制備的聚芳醚砜酮樹脂溶液混合，攪拌1～2h，然后超聲分散1～2h，超聲功率為1000W，頻率為40Hz，制成均勻的混合溶液，其中氧化石墨烯的含量為聚芳醚砜酮樹脂含量的0.3～5％；

4)將步驟3)制備的混合溶液置于微波發生器中進行氧化石墨烯的原位還原處理，微波功率為600-1500W，每次處理時間為1min，總計處理1-30次，每次處理間隔為5min，冷卻后將混合溶液緩慢倒在潔凈的玻璃板上，刮出厚度為10-200um的液膜，在空氣中等待5s后快速放入去離子水中，待膜自動脫落；

5)將脫落的薄膜浸泡在去離子水中24h，每隔4-5小時換一次水，然后將薄膜在60℃的真空烘箱中烘干處理5-8h，得到石墨烯/聚芳醚砜酮導電薄膜；

所述聚芳醚砜酮樹脂為含有酚酞側基的聚芳醚酮樹脂、含有酚酞側基的聚芳醚砜樹脂或含有二氮雜萘酮聯苯結構的聚芳醚砜酮樹脂中的一種。

2.根據權利要求1所述的一種石墨烯/聚芳醚砜酮導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述溶劑為N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺或N-甲基吡咯烷酮中的一種。

3.根據權利要求1所述的一種石墨烯/聚芳醚砜酮導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述氧化石墨烯是指石墨經強氧化劑氧化后得到的表面包括羥基、羧基、環氧基基團的石墨烯片層。

4.根據權利要求3所述的一種石墨烯/聚芳醚砜酮導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述強氧化劑為濃硫酸、濃硝酸、高錳酸鉀中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的一種石墨烯/聚芳醚砜酮導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟4)中微波發生器釋放的微波是頻率為2400～2500MHz的電磁波。

6.根據權利要求1-5任一方法制備的石墨烯/聚芳醚砜酮導電薄膜。