[發(fā)明專利]主動(dòng)注入電流觸發(fā)鎖定的靜電芯片保護(hù)電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811103553.4 | 申請(qǐng)日： | 2018-09-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109256379A | 公開（公告）日： | 2019-01-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉淑慧;劉賽君;劉新明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 寧波奇巧電器科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/02 | 分類號(hào)： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 315000 浙江省寧波市海曙區(qū)集*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 箝位開關(guān) 觸發(fā) 注入電流 鎖定 寄生NPN 雙極型三極管 芯片保護(hù)電路 靜電保護(hù) 靜電 可控硅 寄生 電路 | ||
1.主動(dòng)注入電流觸發(fā)鎖定的靜電芯片保護(hù)電路其特征在于：包括觸發(fā)電路和箝位開關(guān)電路。
2.芯片的靜電(ESD) 保護(hù)設(shè)計(jì)其特征在于，具體地指一種主動(dòng)注入電流從而觸發(fā)箝位開關(guān)（CMOS鎖定或寄生NPN打開）以提高保護(hù)效能。
3.一種符合權(quán)利要求2 的主動(dòng)注入電流觸發(fā)鎖定的靜電芯片保護(hù)電路其特征在于：觸發(fā)電路包括RC電路，必要的反相/驅(qū)動(dòng)電路和NMOS場(chǎng)效應(yīng)管組成，MOS 管的D極與IO端口相連， 極與P 井連接。
4.一種符合權(quán)利要求2和3的主動(dòng)注入電流觸發(fā)鎖定的靜電芯片保護(hù)電路其特征在于，當(dāng)ESD高速脈沖來(lái)到端口，其斜率足以使RC電路足夠快地達(dá)到后級(jí)的閾值，NMOS導(dǎo)通， 電流通過NMOS注入P 井， 使P 井電位上升， 促使箝位開關(guān)打開。
5.一種符合權(quán)利要求2 的主動(dòng)注入電流觸發(fā)鎖定的靜電芯片保護(hù)電路其特征在于：箝位開關(guān)可以由寄生的SCR或 NPN三極管構(gòu)成，PN 可以用N+/P井/N+ 也可用 N+/P井/N井 或組合。
6.以上實(shí)例均設(shè)P 襯底對(duì) N 襯底的工藝，P/N對(duì)調(diào)后本發(fā)明同樣適用。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
