[發明專利]能隙電壓參考電路

在審

• 申請號: 201811097300.0
• 申請日: 2018-09-17
• 公開（公告）號: CN110690864A
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 陳哲生;戴順南
• 申請（專利權）人: 立積電子股份有限公司
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45;H03L5/00;G05F1/56
• 代理公司: 31273 上海市錦天城律師事務所
• 代理人: 劉民選

1.一種能隙電壓參考電路，用以產生一能隙參考電壓，其特征在于，該能隙電壓參考電路包括：

一能隙電流產生電路，用以將該能隙參考電壓轉換為一能隙電流，并根據該能隙電流產生一第一電壓及一第二電壓；

一差動對電路，耦接該能隙電流產生電路以接收該第一電壓及該第二電壓，用以降低該第一電壓與該第二電壓之間的一電壓差，并產生一第三電壓；以及

一翻轉電壓跟隨器(flipped voltage follower)，耦接該差動對電路以接收該第三電壓，并據以產生該能隙參考電壓。

2.如權利要求1所述的能隙電壓參考電路，其特征在于，其中該翻轉電壓跟隨器還增加該能隙參考電壓的驅動能力。

3.如權利要求1所述的能隙電壓參考電路，其特征在于，其中該翻轉電壓跟隨器包括：

一電流源電路，該電流源電路的第一端耦接一參考電壓端；

一第一晶體管，該第一晶體管的第一端與該電流源電路的第二端相耦接以提供一第四電壓，且該第一晶體管的控制端耦接該差動對電路以接收該第三電壓；以及

一第二晶體管，該第二晶體管的第二端耦接一操作電壓端，該第二晶體管的控制端耦接該電流源電路的該第二端以接收該第四電壓，且該第二晶體管的第一端與該第一晶體管的第二端相耦接以輸出該能隙參考電壓。

4.如權利要求3所述的能隙電壓參考電路，其特征在于，其中：

該第一晶體管及該第二晶體管中的每一個為P型金氧半場效晶體管，該第一晶體管及該第二晶體管中的每一個的該第一端為該P型金氧半場效晶體管的漏極端，該第一晶體管及該第二晶體管中的每一個的該控制端為該P型金氧半場效晶體管的柵極端，且該第一晶體管及該第二晶體管中的每一個的該第二端為該P型金氧半場效晶體管的源極端。

5.如權利要求1所述的能隙電壓參考電路，其特征在于，其中該翻轉電壓跟隨器包括：

一電流源電路，該電流源電路的第一端耦接一參考電壓端；

一第一晶體管，該第一晶體管的第一端與該電流源電路的第二端相耦接以提供一第四電壓，且該第一晶體管的控制端耦接該差動對電路以接收該第三電壓；

一第二晶體管，該第二晶體管的第二端耦接一操作電壓端，且該第二晶體管的第一端與該第一晶體管的第二端相耦接以輸出該能隙參考電壓；以及

一電壓調整電路，耦接在該電流源電路的該第二端與該第二晶體管的控制端之間，用以根據該第四電壓產生并輸出一控制電壓至該第二晶體管的該控制端。

6.如權利要求5所述的能隙電壓參考電路，其特征在于，其中該控制電壓高于該第四電壓。

7.如權利要求5所述的能隙電壓參考電路，其特征在于，其中該電壓調整電路包括：

一第三晶體管，該第三晶體管的控制端耦接一偏壓電壓端，且該第三晶體管的第二端耦接該電流源電路的該第二端以接收該第四電壓；以及

一第四晶體管，該第四晶體管的第二端耦接該操作電壓端，該第四晶體管的控制端與第一端相耦接并耦接該第二晶體管的該控制端及該第三晶體管的第一端以輸出該控制電壓。

8.如權利要求7所述的能隙電壓參考電路，其特征在于，其中：

該第一晶體管、該第二晶體管及該第四晶體管中的每一個為P型金氧半場效晶體管，該第一晶體管、該第二晶體管及該第四晶體管中的每一個的該第一端為該P型金氧半場效晶體管的漏極端，該第一晶體管、該第二晶體管及該第四晶體管中的每一個的該控制端為該P型金氧半場效晶體管的柵極端，且該第一晶體管、該第二晶體管及該第四晶體管中的每一個的該第二端為該P型金氧半場效晶體管的源極端；以及

該第三晶體管為N型金氧半場效晶體管，該第三晶體管的該第一端為該N型金氧半場效晶體管的漏極端，該第三晶體管的該控制端為該N型金氧半場效晶體管的柵極端，且該第三晶體管的該第二端為該N型金氧半場效晶體管的源極端。